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| APTM100DAM90G [更多] | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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 | Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 78A（Tc） 1250W（Tc） SP6 型号：APTM100DAM90G 仓库库存编号：APTM100DAM90G-ND | | 搜索 |
PDF查询| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 1000V (1kV) |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 78A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 105 毫欧 @ 39A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 5V @ 10mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 744nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 20700pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 1250W |
| 安装类型 ： | 底座安装 |
| 封装/外壳 ： | SP6 |
| 供应商设备封装 ： | SP6 |
| 包装 ： | 散装 |
