APTM100A13DG,APTM100A13DG|Microsemi Power Products Group代理分销-APTM100A13DG原装现货,PDF下载
PDF查询| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | 2 N 沟道（半桥） |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 1000V (1kV) |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 65A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 156 毫欧 @ 32.5A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 5V @ 6mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 562nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 15200pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 1250W |
| 安装类型 ： | 底座安装 |
| 封装/外壳 ： | SP6 |
| 供应商设备封装 ： | SP6 |
| 包装 ： | 散装 |
