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2SK1120(F)
- 场效应管 MOSFET N TO-3P - 2SK1120F
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2SK1120(F)
制造商型号:
2SK1120(F)
制造商:
TOSHIBA
描述:
场效应管 MOSFET N TO-3P
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET N TO-3P
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 8A
漏源电压, Vds: 1kV
在电阻RDS(上): 1.8ohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 3.5V
功耗, Pd: 150W
封装类型: TO-3P
针脚数: 3
功耗, Pd: 150W
功耗, Pd: 150W
封装/箱盒: TO-3P
引脚节距: 5.45mm
晶体管数: 1
温度 @ 电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
漏极电流, Id 最大值: 8A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 1kV
电压, Vgs 最高: 20V
电流, Idm 脉冲: 24A
表面安装器件: 通孔
产地: JP Japan
手机网站相关详细信息:
2SK1120(F)
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
2SK1120(F)
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: 2SK1120(F) 品牌: TOSHIBA 备注: 场效应管 MOSFET N TO-3P
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Q Q:
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