2N7002DW H6327,2N7002DW H6327|Infineon Technologies代理分销-2N7002DWH6327原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | 2N7002DW Datasheet |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-363 PKG |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 300mA |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 3 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 0.6nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 20pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 500mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT363-6 |
| 其它名称 | 2N7002DW H6327-ND 2N7002DWH6327 2N7002DWH6327XTSA1 SP000917596 |
