型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IXDN75N120 [更多] | IXYS Corporation | IGBT 1200V 150A SOT-227B RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IXDN75N120 [更多] | IXYS Corporation | IXDN75N120 Series 1200 V 150 A Chassis Mount High Voltage IGBT - SOT-227B RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IXDN75N120 [更多] | IXYS Corporation | IGBT Transistors 75 Amps 1200V RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IXDN75N120 [更多] | IXYS Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 150A 4-Pin SOT-227B RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IXDN75N120 [更多] | IXYS Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 150A 4-Pin SOT-227B RoHS: Compliant | 搜索 |
IXDN75N120 [更多] | IXYS Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 150A 4-Pin SOT-227B RoHS: Compliant | 搜索 |
IXDN75N120 [更多] | IXYS Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 150A 4-Pin SOT-227B RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IXDN75N120 [更多] | IXYS Corporation | IGBT Housing type: SOT-227B Collector-emitter breakdown voltage: 1200 V Collector-emitter saturation voltage: 3.5 V Current release time: 70 ns Power dissipation: 630 W
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