IGBT驱动电路对数字信号处理器的可靠性的设计与分析
1.1 IGBT特性
IGBT是电压驱动的少子导电器件，是将MOSFET的高速易驱动，安全工作区宽同双极性器件低饱和压降结合的产物。给出了IGBT的等效电路，它具有以下特点：
高的输入阻抗,使之可采用通用低成本的驱动线路；
高速开关特性；
导通状态的损耗低。
随着半导体技术与大规模集成电路技术的发展，数字信号处理器在交流调速及运动控制领域应用越来越广。数字信号处理器与功率器件接口电路设计的合理完善直接关系到系统长期工作的可靠性。同时，低压供电数字信号处理器也对驱动接口电路设计提出了要求。通过分析IGBT对驱动可靠性的要求及应用于变频器的几种数字信号处理器的PWM口驱动能力，设计了一种可靠的驱动电路方案。
IGBT特性及驱动电路可靠性设计要求
1.1.1 IGBT的额定值
IGBT能承受的电流、电压、功率等的最大允许值一般被定义为最大额定值。线路设计时，能否正确地理解和识别最大额定值，对IGBT可靠工作以及最终使用寿命特别重要。
1.1.2 短路电流特性
IGBT的短路电流可达额定电流10倍以上，短路电流值由IGBT栅极电压和跨导来决定。正确地控制IGBT的短路电流是IGBT可靠工作的必要保障。
1.1.3 感性负载的关断特性
在运动控制系统中，感性负载是常见的负载，当IGBT关断时，加在其上的电压将瞬时由几V上升到电源电压（在此期间通态电流保持不变），产生很大的dv/dt，这将严重地威胁到IGBT长期工作的可靠性。在电路设计中，通过在栅极驱动电路中增加电阻值可限制和降低关断时的dv/dt。
1.1.4 最大栅极发射极电压（VGE）
栅极电压是由栅极氧化层的厚度和特性所决定的。栅极对发射极的击穿电压一般为80V，为了保证安全，栅极电压通常限制在20V以下。
1.1.5 栅极输入电容
IGBT的输入电容特性直接影响到栅极驱动电路的可靠设计。IGBT作为一种少子导电器件，开关特性受少子的注入和复合以及栅极驱动条件的影响较大。在实践中，考虑到密勒效应，栅极驱动电路的驱动能力应大于手册中的2～3倍。
1.1.6 安全工作区特性
少子器件在大电流高电压开关状态工作时，由于电流的不均匀分布，当超过安全工作极限时，经常引起器件损坏。电流分布的方式与di/dt有关，从而安全工作区经常被分为正向安全工作区和反向安全工作区。
1.2 IGBT驱动电路可靠性设计要求
IGBT栅极电压可由不同的驱动电路产生，栅极驱动电路设计的优劣直接关系到系统长期运行可靠性。可基于以下几个要求来进行设计。
1.2.1 器件偏置要求
在IGBT栅极加足够令其产生完全饱和的正向栅压（如15V～20V）时，可使通态损耗减至最小，同时可限制短路电流和它所带来的功率应力。当栅极电压为零时，IGBT处于断态。但是，为了保证在IGBT的C－E间出现dv/dt噪声时仍保持关断，必须在栅极加反偏压(如－5V～－15V)；同时，采用反偏压可减少关断损耗，提高IGBT工作的可靠性。
1.2.2 栅极电荷要求
IGBT的开通和关断通过栅极电路的充放电来实现，因此，栅极电阻选择是否适当直接关系到IGBT的动态特性。
1.2.3 耐固性要求
IGBT处于关断期间，施加于IGBT集电极－栅极电容上的dv/dt可导致有电流流过栅极电路。假如此电流足够大，在栅极电阻上产生的电压，有可能导致IGBT误开通，因此，较小的栅极电阻可增加IGBT驱动的耐固性(即防止dv/dt带来的误开通)。但是，较小的栅极电阻使得IGBT的开通di/dt变大，会导致较高的dv/dt，增加了续流二极管恢复时的浪涌电压。
因此，在设计栅极电阻时要兼顾到这二个方面的问题。
1.2.4 栅极驱动功率要求
IGBT开关要消耗来自栅极电源的功率。其功耗受栅极驱动正、负偏压的差值ΔVGE，栅极总电荷QG和工作开关频率f的影响，式（1）给出了电源平均功率。
PAV=ΔVGE×QG×f（1）
2 数字信号处理器PWM口驱动能力
IGBT驱动信号的产生可通过模拟和数字两种方式来实现。随着微处理技术的发展（包括处理器、系统结构和存储器件），数字信号处理器以其优越的性能在交流调速、运动控制领域得到了广泛的应用。采用数字信号处理器构成的调速系统，由处理器集成的PWM模块产生功率单元(IGBT)的驱动信号。而PWM接口驱动能力及其与IGBT的接口电路的设计直接影响到系统工作的可靠性。
