高压MOS功率晶体管的应用
与JFET相比，MOS管的耐压、功耗和跨导等都容易做得较高。另外，放大器中除了输入级以外的部分(如推动级、输出级)，其互补配对要求可相对放宽，而且一些配对的缺陷也可通过电路的仔细设计加以克服。因此，MOS管在功放末级的应用并无什么大碍。MOS管用于功放输出级的问题不在于互补配对，关键是效率低。
随着集成电路制造工艺水平的提升，系统高压MOS的应用集成度越来越高，智能功率集成电路得到了日益广泛的应用，功率集成电路将工作电压高低不同的功率器件与低压逻辑控制电路集成在一个芯片上，具有开关特性好、功耗小等优点。
对双扩散DDD=DoubleDiffused Drain 高压 MOSFET、SVX高压MOSFET结构进行流片实验，根据实际器件参数测试结果，优化调整版图结构和工艺参数使之作为新增工艺模块，整合到原有工艺中，并尽量保持低压器件的原有特性。
最终根据以上工作得到1.5μm 5V/12V兼容CMOS工艺的设计规则，并将其应用到LCD显示驱动系列电路的实际生产中，取得了可观的经济效益
1．JFET缺少配对容差内的互补管
当今双极晶体管制造工艺的成熟已使NPN与PNP互补三极管的配对误差缩小到被广大专业厂商和音响发烧友所能普遍接受的程度。相比之下，场效应管的选配就困难得多，而作为高压MOS的应用放大器输入级用管的JFET更是缺少符合要求的互补对(这是目前的制造水平所决定的)。附表列出了东芝公司的孪生场效应管(DualFET)K389／Jl09的主要特性数据比较。由附表可知，K389与J109的差异有VCC和NF，其中C和C两项数值，N沟与P沟的差值要达5倍之巨。笔者有一次购买过8对K389／J109，但是在装机前测试的结果却颇令人失望：①所谓孪生管只是同一管壳内的两只管子性能一致，而同时购买的8对管中N沟之间的差别颇大，N沟与P沟的差别更大；②K389与J109的Idss、gm及Vgs各不相同，实际的波形测试也不对称。最后，笔者高压MOS的应用只能从K389中选出两只误差为3．8％的管子作为单边差动输入级之用(以往选用双极孪生管时总是不难把同极性管的误差控制在1％，异极性管的配对误差也不会大于3％)。通过以上的数据比较和实际测试可以得到如下启示：JFET用于互补输入级时，其V和I一的离散性会使电路的静态工作点产生较大的偏移，从而令电路的稳定性变差；gm、Cis,Cis的固有差异更影响着整个推挽级的上下波形对称和瞬态响应速度等动态指标。关于这一点，国外的一些知名厂商其实早就形成共识，如天龙、马兰士等的产品中常可见到K389等做成的场效应差动输入级，但总是难以见到J109的影子，也许K389／J109本来就是“拉郎配”。
2、MOSFET输出极效率较***低
MOS管输出级的损耗比双极晶体管大是众所周知的。高压MOS的应用通常在相同的电路下，为了取得与双极管一样的输出功率，采用的方法是将电源电压升高±5V，以补偿MOS管的损耗。然而，实际制作证明其远不止这么简单。
音响常用场效应管的参数如下表：
从附表中可以了解到几种颇具代表性的MOS管的主要特性数据。现以日立公司的老牌LDMOS管K135／J50为例加以说明。K135／J50的栅一源开启电压阈值为一0．15～一1．45V。实测高压MOS的应用当Io=10mA时VO．25V，而当I~=100mA典型值时V增加到0,6～0、85V。可见场效应管的压控特性决定了栅一源损耗电压是随漏极电流I增大而上升的(相对于这一点，双极晶体管的V几乎恒为0．7V)。MOS管的内部损耗主要取决于漏源导通电阻R、的大小。K135／J50的参数中没有直接给出RDs1这一项，但是通过漏源导通电压VDs(sat)：12V和ID7A两个数据，利用公式RDs(oN)=UDs)／ID可计算出K135／J50的R、约为1．7Q。这相当于把一个1．7Q的电阻与负载串联，对于标准的8Q负载而言其损失的功率已接近20％。如果高压MOS的应用考虑到扬声器在低频时阻抗骤跌及场效应管的负温度电压一电流特性(即温度上升时电流下降高压MOS的应用，也就是这时R增大)，那么MOS管的实际内部损耗将更大。相比之下，双极晶体管的情况就大不相同。例如，东芝的A1265／C3182，当Ic=7A时V、=2V。如果输出为二级射随器，那么加上末前级的损耗(<1V)，总的V。(sat)<3V。这与K135／J50的VDs(sat)=12V相比，孰优孰劣自然不言而喻。
