MOSFET最重要的两个参数是漏源电压(VDSS)和导通电阻RDS(ON)。电流值和最大耗散功率值必须仔细观察,因为它们只有当背板温度到25OC时才能达到,切换时间仅在满足数据瑞萨电子高压MOS,高压MOS注意要点说明书中所描述的特定条件下才适用。
一般来说Renesas高压MOS数据手册主要包含以下几个部分:特性、极限值、电气特性以及典型特性。
Renesas高压MOS所具有的性能优势:
1、 具有比较低的Qg
2、 Vgs电压±30 V
3、 具有比较低的导通阻抗
4、 很好的防雪崩能力
Renesas MOS采用了五代UMOS工艺,可以把RDS(ON)做的比较小,2SK3298B的导通瑞萨电子高压MOS电阻只有0.75欧姆,可以大大减少MOS的损耗。
极限值部分给出了10个参数的绝对最大值。器件运行的时候一定不能超过此值,瑞萨电子高压MOS否则会造成MOS永久的损坏。其中,尤其需要注意漏极电流和耗散功率的值是在25OC时给出的,在实际运行中只能作为参考。
电气特性部分主要含有几个重要的参数:开启关断时间参数、跨导参数、结电容参数以及体内二极管参数等。Renesas高压MOS一般要比同类型的其它牌子的MOS开关速度快,但有个高压MOS注意要点很重要的先决条件就是:栅极驱动电压要在10V以上,因为Renesas高压MOS结电容参数比较大。
典型特性部分给出了很多参数的动态曲线。比较重要的参数曲线有:热阻曲线、转移特性曲线、跨导曲线、导通电阻和漏极电流的关系曲线以及耗散功率和温度的关系曲线等。耗散瑞萨电子高压MOS,高压MOS注意要点功率随着温度的升高而下降,导通电阻随着温度的升高而增大。
Renesas高压MOS具有比较明显的导通阻抗低、开关速度快的优点,但驱动电路的好坏直接影响了MOS的特性。为了达到良好的驱动波形和开关特性,使管子能够工作在比较理想的高压MOS注意要点状态,现结合数据手册中的几个参数影响和典型曲线注2加以分析。
1、RDS(ON)随VGS的变化曲线:
由图可知,当VGS在小于10V的时候,RDS(ON)是比较大的,特别是在小于7-8V的时候,RDS(ON)几乎是无穷大,管子几乎没有开启。所以我们建议驱动电压一般瑞萨电子高压MOS要在10V以上,高压MOS注意要点这样可以获得比较低的导通阻抗和减小MOS的损耗。
2、由数据手册得到Renesas高压MOS的CISS、COSS、、CRSS是比较大的,所以为了获得比较好的驱动波形,建议栅极驱动电阻不要太大,尽量在几十欧姆。
3、跨导参数及曲线。跨导是MOS一个很重要的参数,反映了栅极驱动电压对漏极电流的控制能力。由下图的转移特性曲线可知:当MOS栅极驱动电压在10V左右的时候,MOS漏极电流才能达到标称的值。