低压大电流MOSFET新产品发布,低压MOS技术特点
新的大电流MOSFET采用了IXYS专利的ISOPLUS封装工艺！这种ISOPLUS i5-Pak封装的 大电流MOSFET特点是导通损耗和开关损耗极低，有硬开关需要的雪崩额定值。它结合了非常好的绝缘，散热低压MOSFET能力和高功率循环能力等优点。同时可以低压MOSFET灵活地把不同拓朴结构封装于其中。以这系列的大电流MOSFET为例，该产品有5个管脚。集成了并联的两个MOSFET，以两个内部相联的管脚作输出，使该封装的电流处理能力高达150A，大大超出传统封装电流处理低压MOS技术特点能力的极限！这一系列采用ISOPLUS i5-Pak 封装的MOSFET集成了两个大电流MOSFET芯片，是高可靠性，高大电流处理能力的绝缘封装的产品。低压MOS技术特点传统的分立器件的封装的电流处力能力基本上都是局限在75A以下，这大大低于其内部的晶片的电流处力能力。而IXYS的ISOPLUS i5-Pak封装就是为克服这一难点设计的，
IXYS公司正式推出低电压大电流采用绝缘封装的MOSFET，电压从55V到100V，有极低损耗和极低的Rds(on)，这是IXYS公司不断丰富的针对低电压，大电流功率变换的应用的产品之一。
所有IXYS的ISOPLUS封装均采用直接铜焊（DCB）技术作内部绝缘低压MOS技术特点(该技术一般只应用于功率模块)，并且已取得UL认证。其中：IXTL2X240N055T，低压MOSFET是55V的，Rds(on)仅0.0044欧姆，Rth(jc)仅1.0 k/w ，IXTL2X18N10T 100V Rds(on)仅0.0074欧姆，Rth(jc)仅1.0 k/w,这些产品能为电动汽车， 电动叉车， 电动摩托车，高尔夫球车等高功率，低电压的应用提供独特的高性价比的器件方案。
