英特尔和Micron称下一代25纳米NAND存储芯片取得突破
据国内传媒报道，英特尔和Micron已经初阶揭晓下一代25纳米NAND存储芯片，为达到最高功用，该芯片应用了三层存储单位技术。
首款8GB和64GB芯片正在向选定的客户出售，用于SD卡存储配备。该芯片在每一个存储单位中糊口三位新闻，而非像激进芯片那样糊口一到两位新闻，英特尔声称，这种芯片是目前市场上最有功用的。
英特尔副总裁及NAND开荒组主管Tom Rampone声称25纳米已是业界最小的尺寸，在开荒完成25纳米程度的三层存储单位之后，公司还将持续为用户摸索和发展更低级的产品。公司贪图把持IMFT的方案和制造业位置来为用户供应更高性价比的产品。
目前IMFT正与三星以及其他公司抢夺老不日本日趋丰富的NAND市场。随着挪动存储市场的添加以及干部关于固态硬盘乐趣的增加，芯片厂商正在为获得市场上最好的硬件而合作。
Tom还说他们正在致力于使8GB的三层存储单位NAND闪存配备合乎最终产品方案。
