CMOS集成电路的性能和特点
CMOS集成电路功耗低
CMOS集成电路输出波形的回升和降落年光大要管束
CMOS集成电路采纳场效应管,且但凡互补机关,工作时两个勾搭的场效应管总是处于1个管导通,另1个管截止的形态,电路动静功耗其实为零。理论上,由于存在泄电流,CMOS电路还有微量动静功耗。单个门电路的功耗榜样值仅为２0mW,动静功耗（在1MHz工作频率时）也仅为几mW。
CMOS集成电路工作电压范围宽
CMOS集成电路供电未便,供电电源体积小,基础底细上不需稳压。国产CC４000系列的集成电路,可在三~18V电压下畸形工作。
CMOS集成电路逻辑摆幅大
CMOS集成电路的逻辑高电平“1”、逻辑低电平“0”分别濒临于电源高电位VDD及电影低电位VSS。当VDD=15V,VSS=0V时,输出逻辑摆幅类似15V。是以,CMOS集成电路的电压电压利用系数在各类集成电路中方针是较高的。
CMOS集成电路抗困扰技巧强
CMOS集成电路的电压噪声容限的榜样值为电源电压的４5%,保证值为电源电压的三0%。跟着电源电压的减少,噪声容限电压的相对值将成比例减少。关于VDD=15V的供电电压（当VSS=0V时）,电路将有7V支配的噪声容限。
CMOS集成电路输出阻抗高
CMOS集成电路的输出端1般但凡由保护２极管和勾搭电阻构成的保护Internet,故比1般场效应管的输出电阻稍小,但在畸形工作电压范围内,这些保护２极管均处于反向偏置形态,直流输出阻抗取决于这些２极管的透露电流,一般情况下,等效输出阻抗高达10三~1011Ω,是以CMOS集成电路切实实在不必耗驱动电路的功率。
CMOS集成电路温度稳定遵从好
由于CMOS集成电路的功耗很低,内部发烧量少,并且,CMOS电路程路机关和电气参数都具备对称性,在温度情况发生生机更改时,某些参数能起到踊跃填补作用,是以CMOS集成电路的温度本色十分好。1般陶瓷金属封装的电路,工作温度为-55 ~ +1２5℃;塑料封装的电路工作温度范围为-４5 ~ +85℃。
CMOS集成电路扇出技巧强
扇出技巧是用电路输出端所能发动的输出端数来表现的。由于CMOS集成电路的输出阻抗极高,是以电路的输出技巧受输出电容的限定,然则,当CMOS集成电路用来驱动同典范,如不思索速度,1般大要驱动50个以上的输出端。
CMOS集成电路抗辐射技巧强
CMOS集成电路中的基础底细器件是MOS晶体管,属于少数载流子导电器件。各类射线、辐射对其导电遵从的影响都有限,是以特别合用于制作航天及核履行设备。
CMOS集成电路可控性好
CMOS集成电路输出波形的回升和降落年光大要管束,其输出的回升和降落年光的榜样值为电路传输耽误年光的1２5%~1４0%。
CMOS集成电路接口不便
由于CMOS集成电路的输出阻抗高和输出摆幅大,以是易于被另外电路所驱动,也利便驱动另外典范的电路或器件。
