双向可控硅,双向可控硅的分类,双向可控硅参数指标等
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双向可控硅,双向可控硅的分类,双向可控硅参数指标等  2011/10/3

目录

  • 双向可控硅参数符号
  • 双向可控硅好坏判断
  • 双向可控硅的设计及应用分析
  • 对双向可控硅内部电路的探讨
双向可控硅

双向可控硅参数符号

  •   IT(AV)--通态平均电流

      VRRM--反向反复峰值电压

      IDRM--断态重复峰值电流

      ITSM--通态一个周波不反复浪涌电流

      VTM--通态峰值电压

      IGT--门极触发电流

      VGT--门极触发电压

      IH--维持电流

      dv/dt--断态电压临界上升率

      di/dt--通态电流临界上升率

      Rthjc--结壳热阻

      VISO--模块绝缘电压

      Tjm--额定结温

      VDRM--通态反复峰值电压

      IRRM--反向重复峰值电流

      IF(AV)--正向平均电流

双向可控硅好坏判断

  •   可控硅的检测

      1.单向可控硅的检测

      万用表选用电阻R×1档,用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑笔接的引脚为控制极G,红笔接的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短接线瞬间短接阳极A和控制极G,此时万用表指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。

      2.双向可控硅的检测

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