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晶圆,晶圆的分类,晶圆参数指标等  2011/10/3

目录

  • 晶圆简介
  • 晶圆的结构
  • 晶圆的制作过程
晶圆

晶圆简介

  •   晶圆的原始材料是硅,地壳表面有着取之不尽用之不竭的二  氧化硅,二氧化硅矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了  高纯度的多晶硅,其纯度高达 0.99999999999。晶圆制造厂再将此多晶硅  融解,再于融液内掺入一小粒的硅晶体晶种,然后将其慢慢拉出,以形成  圆柱状的单晶硅晶棒,由于硅晶棒是由一颗小晶粒在熔融态的硅原料中逐  渐生成,此过程称为长晶,硅晶棒再经过研磨、抛光、切片后,即成  为积体电路工厂的基本原料----硅晶圆片,这就是晶圆。国内自1997  年起已有厂家生产八英寸(200mm)晶圆片,未来将会生产十二寸晶圆。晶圆的制造是整个电子资讯产业中最上游的部份,晶圆产业的发展优劣,直接影响半导体工业,也可从中观察出整个资讯产业的发展趋势。

晶圆的结构

  •   1 晶格:晶圆制程结束后,晶圆的表面会形成许多格状物,成为晶格。经过切割器切割后成所谓的晶片

      2 分割线:晶圆表面的晶格与晶格之间预留给切割器所需的空白部分即为分割线

      3 测试晶格:指晶圆表面具有电路元件及特殊装置的晶格,在晶圆制造期间,这些测试晶格需要通过电流测试,才能被切割下来

      4 边缘晶格:晶圆制造完成后,其边缘会产生部分尺寸不完整的晶格,此即为边缘晶格,这些不完整的晶格切割后,将不被使用

      5 晶圆的平坦边:晶圆制造完成后,晶圆边缘都会切割成主要和次要的平坦边,目的是用来作为区分。

晶圆的制作过程

  •   光学显影:是在光阻经过曝光和显影的程序,把光罩上的图形转换到光阻下面的薄膜层或矽晶上。光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准、曝光和显影等程序。小尺寸之显像解析度,更在IC制程的进步上,扮演着最关键的角色。由於光学上的需要,此段制程之照明采用偏黄色的可见光。因此俗称此区为黄光区。

      干式蚀刻技术:在半导的体制程中,蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除。乾式蚀刻(又称为电浆蚀刻)是目前最常用的蚀刻方式,其以气体作为主要的蚀刻媒介,并藉由电浆能量来驱动反应。

      电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响。首先,电浆会将蚀刻气体分子分解,产生能够快速蚀去材料的高活性分子。此外,电浆也会把这些化学成份离子化,使其带有电荷。

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