光电三极管有两种基本结构，NPN结构与PNP结构。

　　用N型硅材料为衬底制作的 NPN结构，称为 3DU型；

　　用P型硅材料为衬底制作的称为PNP结构，称为3CU型。

　　1）伏安特性

　　光电三极管在偏置电压为零时，无论光照度有多强，集电极电流都为零。偏置电压要保证光电三极管的发射结处于正向偏置，而集电结处于反向偏置。随着偏置电压的增高伏安特性曲线趋于平坦。

　　光电三极管的伏安特性曲线向上偏斜，间距增大。这是因为光电三极管除具有光电灵敏度外，还具有电流增益β，并且，β值随光电流的增大而增大。

　　2）时间响应（频率特性）

　　光电三极管的时间响应常与PN结的结构及偏置电路等参数有关。

　　光电三极管的时间响应由以下四部分组成：

　　① 光生载流子对发射结电容Cbe和集电结电容Cbc的充放电时间；② 光生载流子渡越基区所需要的时间；

　　③ 光生载流子被收集到集电极的时间；

　　④ 输出电路的等效负载电阻RL与等效电容Cce所构成的RC时间；

　　总时间常数为上述四项和。比光电二极管的时间响应长。

　　3）温度特性

　　硅光电二极管和硅光电三极管的暗电流Id和光电流IL均随温度而变化，由于硅光电三极管具有电流放大功能，所以硅光电三极管的暗电流Id和亮电流IL受温度的影响要比硅光电二极管大得多。

　　4）光谱响应

　　光电二极管与光电三极管具有相同的光谱响应。

　　它的响应范围为0.4~1.1μm，峰值波长为0.85μm。

　　由外观上, 可以区分为罐封闭型与树脂封入型, 而各型又可分别分为附有透镜之型式 及单纯附有窗口之型式.就半导体晶方 言之,材料有硅(Si)与锗(Ge),大部份为硅.在晶方构造方面,可分为普通晶体管型与达林顿 晶体管型.再从用途加以分类时,可以分为以交换动作为目的之光敏三极管与需要直线性之光 敏三极管,但光敏三极管的主流为交换组件,需要直线性时,通常使用光二极管.