线性集成电路,线性集成电路的分类,线性集成电路参数指标等
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线性集成电路,线性集成电路的分类,线性集成电路参数指标等  2011/10/3

目录

  • 线性集成电路概述
  • 线性集成电路分类
  • 线性集成电路特性
线性集成电路

线性集成电路概述

  •   20世纪60年代初,用半导体硅片制成第一个简单的集成放大器。与分立元件电路相比,集成电路在设计上具有若干有利条件。由于所有器件是在一个很小的芯片上同时制造出来,其特性十分一致,而且元件参数具有高的比例精度。线性电路通常需要在一个电路中使用不同类型的器件,因而难以集成,初期发展缓慢。1966年,第一个高性能的通用运算放大器问世。70年代各种高精度的数-模和模-数转换器成为数字技术和信息处理中的关键器件,得到广泛应用。

线性集成电路分类

  •   ①通用电路,包括运算放大器、电压比较器、稳压电源电路等。

      ②工业控制与测量电路,包括定时器、波形发生器、检测器、模拟乘法器、模拟开关、马达驱动电路、功率控制电路等。

      ③数据转换电路,包括数-模和模-数转换器,电压-频率转换器等。

      ④通信电路,包括电话电路,移动通信电路等。

      ⑤消费类电路,包括电视机、录像机、音响电路等。实际上还有许多其他应用电路,如心脏起搏器等医疗用电路。线性集成电路大多数采用标准双极型工艺制造 ;后来,又开发出金属-氧化物-半导体(MOS)新工艺。

线性集成电路特性

  •   1、线性集成电路结构特性

      线性集成电路一般采用标准双极型工艺制造。为获得高性能电路,有时在标准工艺基础上作某些修改或采取附加的制造工序,以便在同一芯片上制作不同性能的各种元件和器件。在双极型芯片上制作高性能结型场效应晶体管的技术。当芯片上NPN管形成后,分别用两次离子注入技术掺杂形成低浓度P-型沟道和高浓度N+型栅区其栅-漏击穿电压可达50~60伏,夹断电压可控制在1伏左右。通常的击穿二极管利用 NPN晶体管的eb结,其击穿现象发生在结表面。而亚表面击穿二极管则是在N+型发射区下用离子注入法制作一个高浓度P+型层,在表面下方深处形成一个N+-P+结。这种晶体管的击穿电压低于表面结的击穿电压,击穿过程不受表面状况的影响,噪音低,并且具有良好的长期稳定性。

      2、线性集成电路功能特性

      线性双极型工艺通常可达到50~60伏的耐压性能。若要获得近100伏或更高的耐压性能,可采取如下措施:

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