MOCVD技术,引言,技术特点,优缺点,在光电方面新的应用
电子元件,电子元器件深圳市创唯电子有限公司
您现在的位置: 首页 > 电子知识 > MOCVD技术,引言,技术特点,优缺点,在光电方面新的应用
MOCVD技术,引言,技术特点,优缺点,在光电方面新的应用  2011/10/3

目录

  • MOCVD引言
  • MOCVD的主要技术特点
  • MOCVD技术的优缺点
  • MOCVD技术在光电方面新的应用
MOCVD技术

MOCVD引言

  •   近年来,随着半导体工业的发展以及高速光电信息时代的来临,LPE、VPE等技术在半导体业生产中的作用越来越小;MBE与MOCVD技术相比,由于其设备复杂、价格更昂贵,生长速度慢,且不适pC-长含有高蒸汽压元素(如P)的化合物单晶,不宜于工业生产。而金属有机物化学气相淀积(MOCVD),1968年由美国洛克威公司的Manasevit等人提出制备化台物单晶薄膜的一项新技术;到80年代初得以实用化。经过近20年的飞速发展,成为目前半导体化台物材料制备的关键技术之一。广泛应用于包括半导体器件、光学器件、气敏元件、超导薄膜材料、铁电/铁磁薄膜、高介电材料等多种薄膜材料的制备。

MOCVD的主要技术特点

  •   国内外所制造的MOCVD设备,大多采用气态源的输送方式,进行薄膜的制备。气态源MOCVD设备,将MO源以气态的方式输送到反应室,输送管道里输送的是气体,对送入反应室的MO源流量也以控制气体流量来进行控制。因此,它对MO源先体提出应具备蒸气压高、热稳定性佳的要求。用气态源MOCVD法沉积一些功能金属氧化物薄膜,要求所选用的金属有机物应在高的蒸气压下具有高的分子稳定性,以避免输送过程中的分解。然而,由于一些功能金属氧化物的组分复杂,元素难以合成出气态MO源和有较高蒸气压的液态MO源物质,而蒸气压低、热稳定性差的MO源先体,不可能通过鼓泡器(bubbler)由载气气体输运到反应室。

      然而采用液态源输送的方法,是目前国内外研究的重要方向。采用将液态源送入汽化室得到气态源物质,再经过流量控制送入反应室,或者直接向反应室注入液态先体,在反应室内汽化、沉积。这种方式的优点是简化了源输送方式,对源材料的要求降低,便于实现多种薄膜的交替沉积以获得超品格结构等。

MOCVD技术的优缺点

  •   MOCVD技术在薄膜晶体生长中具有独特优势:

      1、能在较低的温度下制备高纯度的薄膜材料,减少了材料的热缺陷和本征杂质含量;

      2、能达到原子级精度控制薄膜的厚度;

      3、采用质量流量计易于控制化合物的组分和掺杂量;

      4、通过气源的快速无死区切换,可灵活改变反应物的种类或比例,达到薄膜生长界面成份突变。实现界面陡峭;

      5、能大面积、均匀、高重复性地完成薄膜生长。适用于工业化生产;

与《MOCVD技术,引言,技术特点,优缺点,在光电方面新的应用》相关列表
电话:400-900-3095
QQ:800152669
库存查询
Copyright(C) 2011-2021 Szcwdz.com 创唯电子 版权所有 备案号:粤ICP备11103613号
专注电子元件代理销售  QQ:800152669  电子邮件:sales@szcwdz.com  电话:400-900-3095