RCD吸收电路,RCD吸收电路的原理,设计,与RC电路的比较,影响
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RCD吸收电路,RCD吸收电路的原理,设计,与RC电路的比较,影响  2011/10/3

目录

  • RCD吸收电路的原理
  • RCD吸收电路的设计
  • RCD吸收电路与RC电路的比较
  • RCD吸收电路的影响
RCD吸收电路

RCD吸收电路的原理

  •   若开关断开,蓄积在寄生电感中能量通过开关的寄生电容充电,开关电压上升。其电压上升到吸收电容的电压时,吸收二极管导通,开关电压被吸收二极管所嵌位,约为1V左右。寄生电感中蓄积的能量也对吸收电容充电。开关接通期间,吸收电容通过电阻放电。

RCD吸收电路的设计

  •   一﹑首先对mos管的VD进行分段:

      ⅰ,输入的直流电压VDC;

      ⅱ,次级反射初级的VOR;

      ⅲ,主MOS管VD余量VDS;

      ⅳ,RCD吸收有效电压VRCD1。

      二﹑对于以上主MOS管VD的几部分进行计算:

      ⅰ,输入的直流电压VDC。

      在计算VDC时,是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V,即DC375V。

      VDC=VAC  *√2

      ⅱ,次级反射初级的VOR。

      VOR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的,如输出电压为:5.0V±5%(依Vo =5.25V计算),二极管VF为0.525V(此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值).

      VOR=(VF +Vo)*Np/Ns

      ⅲ,主MOS管VD的余量VDS.

      VDS是依MOS管VD的10%为最小值.如KA05H0165R的VD=650应选择DC65V.

      VDS=VD* 10%

      ⅳ,RCD吸收VRCD.

      MOS管的VD减去ⅰ,ⅲ三项就剩下VRCD的最大值。实际选取的VRCD应为最大值的90%(这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性,温度漂移和时间飘移等因素得影响)。

      VRCD=(VD-VDC -VDS)*90%

      注意:① VRCD是计算出理论值,再通过实验进行调整,使得实际值与理论值相吻合.

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