若开关断开，蓄积在寄生电感中能量通过开关的寄生电容充电，开关电压上升。其电压上升到吸收电容的电压时，吸收二极管导通，开关电压被吸收二极管所嵌位，约为1V左右。寄生电感中蓄积的能量也对吸收电容充电。开关接通期间，吸收电容通过电阻放电。

　　一﹑首先对mos管的VD进行分段：

　　ⅰ，输入的直流电压VDC；

　　ⅱ，次级反射初级的VOR；

　　ⅲ，主MOS管VD余量VDS；

　　ⅳ，RCD吸收有效电压VRCD1。

　　二﹑对于以上主MOS管VD的几部分进行计算：

　　ⅰ，输入的直流电压VDC。

　　在计算VDC时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V，即DC375V。

　　VDC＝VAC  *√2

　　ⅱ，次级反射初级的VOR。

　　VOR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%（依Vo =5.25V计算），二极管VF为0.525V（此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值）．

　　VOR＝(VF　+Vo)*Np/Ns

　　ⅲ，主MOS管VD的余量VDS．

　　VDS是依MOS管VD的10%为最小值．如KA05H0165R的VD=650应选择DC65V．

　　VDS＝VD* 10%

　　ⅳ，RCD吸收VRCD．

　　MOS管的VD减去ⅰ，ⅲ三项就剩下VRCD的最大值。实际选取的VRCD应为最大值的90%（这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响）。

　　VRCD＝(VD-VDC -VDS)*90%

　　注意：① VRCD是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合．