导体和绝缘体之间的差异主要来自两者的能带（band）宽度不同。绝缘体的能带比半导体宽，意即绝缘体价带中的载子必须获得比在半导体中更高的能量才能跳过能带，进入传导带中。室温下的半导体导电性有如绝缘体，只有极少数的载子具有足够的能量进入传导带。因此，对於一个在相同电场下的本质半导体（intrinsic semiconductor）和绝缘体会有类似的电特性，不过半导体的能带宽度小於绝缘体也意味着半导体的导电性更容易受到控制而改变。

　　纯质半导体的电气特性可以藉由植入杂质的过程而永久改变，这个过程通常称为「掺杂」（doping）。依照掺杂所使用的杂质不同，掺杂後的半导体原子周围可能会多出一个电子或一个电洞，而让半导体材料的导电特性变得与原本不同。如果掺杂进入半导体的杂质浓度够高，半导体也可能会表现出如同金属导体般的电性。在掺杂了不同极性杂质的半导体接面处会有一个内建电场（built-in electric field），内建电场和许多半导体元件的操作原理息息相关。

　　除了藉由掺杂的过程永久改变电性外，半导体亦可因为施加於其上的电场改变而动态地变化。半导体材料也因为这样的特性，很适合用来作为电路元件，例如电晶体。电晶体属於主动式的（有源）半导体元件（active semiconductor devices），当主动元件和被动式的（无源）半导体元件（passive semiconductor devices）如电阻器（resistor）或是电容器（capacitor）组合起来时，可以用来设计各式各样的集成电路产品，例如微处理器。

　　当电子从传导带掉回价带时，减少的能量可能会以光的形式释放出来。这种过程是制造发光二极体（light-emitting diode, LED）以及半导体激光（semiconductor laser）的基础，在商业应用上都有举足轻重的地位。而相反地，半导体也可以吸收光子，透过光电效应而激发出在价带的电子，产生电讯号。这即是光探测器（photodetector）的来源，在光纤通讯（fiber-optic communications）或是太阳能电池（solar cell）的领域是最重要的元件。

　　半导体有可能是单一元素组成，例如矽。也可以是两种或是多种元素的化合物（compound），常见的化合物半导体有砷化镓（gallium arsenide, GaAs）或是磷化铝铟镓（aluminium gallium indium phosphide, AlGaInP）等。合金（alloy）也是半导体材料的来源之一，如矽锗（silicon-germanium, SiGe）或是砷化镓铝（aluminium gallium arsenide, AlGaAs）等。

　　在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。

　　在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。