二、双极型晶体管参数符号及其意义Cc——-集电极电容Ccb——-集电极与基极间电容Cce——-发射极接地输出电容Ci——-输入电容Cib——-共基极输入电容Cie——-共发射极输入电容Cies——-共发射极短路输入电容Cieo——-共发射极开路输入电容Cn——-中和电容（外电路参数）Co——-输出电容Cob——-共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容Coe——-共发射极输出电容Coeo——-共发射极开路输出电容Cre——-共发射极反馈电
二、双极型晶体管参数符号及其意义
Cc——-集电极
电容Ccb——-集电极与基极间电容
Cce——-发射极接地输出电容
Ci——-输入电容
Cib——-共基极输入电容
Cie——-共发射极输入电容
Cies——-共发射极短路输入电容
Cieo——-共发射极开路输入电容
Cn——-中和电容（外电路参数）
Co——-输出电容
Cob——-共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容
Coe——-共发射极输出电容
Coeo——-共发射极开路输出电容
Cre——-共发射极反馈电容
C
ic——-集电结势垒电容
CL——-负载电容（外电路参数）
Cp——-并联电容（外电路参数）
BVcbo——-发射极开路，集电极与基极间击穿电压
B
Vceo——-基极开路，CE结击穿电压
BVebo——- 集电极开路EB结击穿电压
BVces——-基极与发射极短路CE结击穿电压
BV cer——-基极与发射极串接一
电阻，CE结击穿电压
D——-占空比
fT——-特征频率
fmax——-最高振荡频率。当
三极管功率增益等于1时的工作频率
hFE——-共发射极静态
电流放大系数
hIE——-共发射极静态输入阻抗
hOE——-共发射极静态输出电导
h RE——-共发射极静态电压反馈系数
hie——-共发射极小信号短路输入阻抗
hre——-共发射极小信号开路电压反馈系数
hfe——-共发射极小信号短路电压放大系数
hoe——-共发射极小信号开路输出导纳
IB——-基极直流电流或交流电流的平均值
Ic——-集电极直流电流或交流电流的平均值
IE——-发射极直流电流或交流电流的平均值
Icbo——-基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流
Iceo——-发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Iebo——-基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流
Icer——-基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流
Ices——-发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Icex——-发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流
ICM——-集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。
IBM——-在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值
ICMP——-集电极最大允许脉冲电流
ISB——-二次击穿电流
IAGC——-正向自动控制电流
Pc——-集电极耗散功率
PCM——-集电极最大允许耗散功率
Pi——-输入功率
Po——-输出功率
Posc——-振荡功率
Pn——-噪声功率
Ptot——-总耗散功率
ESB——-二次击穿能量
rbb——-基区扩展电阻（基区本征电阻）
rbbCc——-基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积
rie——-发射极接地，交流输出短路时的输入电阻
roe——-发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻
RE——-外接发射极电阻（外电路参数）
RB——-外接基极电阻（外电路参数）
Rc ——-外接集电极电阻（外电路参数）
RBE——-外接基极-发射极间电阻（外电路参数）
RL——-负载电阻（外电路参数）
RG——-
信号源内阻
