45nm的1Gb单片闪存基于NumonyxStrataFlash存储器架构，引脚兼容恒忆目前量产的65nmNOR闪存芯片。产品架构的兼容性和连续性使手机原始设备制造商能够降低开发成本，延长现有产品平台的生命周期，利用大容量存储和速度更快的存储器“立即执行”功能，加快向市场推出新产品的速度。与上一代产品相比，新技术将数据写入速度提高50%。在如何设计新一代NOR闪存技术方面，恒忆取得了一项重大设计突破。新产品采用一个新的自对准接触(SAC)
45nm的1Gb单片闪存基于Numonyx StrataFlash存储器架构，引脚兼容恒忆目前量产的65nm NOR闪存芯片。产品架构的兼容性和连续性使
手机原始设备制造商能够降低开发成本，延长现有产品平台的生命周期，利用大容量存储和速度更快的存储器“立即执行”功能，加快向市场推出新产品的速度。与上一代产品相比，新技术将数据写入速度提高50%。
在如何设计新一代NOR闪存技术方面，恒忆取得了一项重大设计突破。新产品采用一个新的自对准接触(
SAC)方法，在保持与过去产品兼容以及高度可靠性和产品质量的同时，这种方法还使恒忆闪存产品得以不断升级。
恒忆正在一定的密度和数量范围内检测新产品样片，计划今年推出采用这项新技术的产品。预计
2010年开始量产。恒忆还计划将此项技术部署到所有的嵌入式闪存解决方案中，把连续性架构的性能优点以及稳定性和可靠性扩展到主要嵌入式市场。
