低功耗无源超高频射频识别应答器芯片的射频电路
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低功耗无源超高频射频识别应答器芯片的射频电路  2012/3/1
0引言射频识别(radiofrequencyidenlificatinn,RFID)是20世纪90年代兴起的一种自动识别技术。RFID技术具有多种条形码技术所不具备的优点,应用范围十分广泛,可应用于第二代公民身份证、城市一卡通、金融交易、供应链管理、电刊文费(ETC)、门禁控制、机场行李管理、公共运输、集装箱识别、畜牧管理等,因此,掌握制造RFID芯片的技术变得非常重要。目前,日益增长的应用需求对RFID芯片提出了更高的要求,要求其容量更大,成本更低,

0 引 言

射频识别(radio frequency idenlificatinn,RFID)是20世纪90年代兴起的一种自动识别技术。RFID技术具有多种条形码技术所不具备的优点,应用范围十分广泛,可应用于第二代公民身份证、城市一卡通、金融交易、供应链管理、电刊文费(ETC)、门禁控制、机场行李管理、公共运输、集装箱识别、畜牧管理等,因此,掌握制造RFID芯片的技术变得非常重要。目前,日益增长的应用需求对RFID芯片提出了更高的要求,要求其容量更大,成本更低,体积更小,数据速率更高。根据这种情况,本文提出了一种长距离、低功耗的无源超高频UHFRFID应答器芯片射频电路。

RFID常用工作频率包括低频125kHz、134.2kHz.高频13.56MHz,超高频860~930MHz,微波2.45GHz,5.8GHz 等.因为低频125kHz、134.2kHz,高频13.56MHz系统以线圈作为天线,采用电感祸合的方式,其工作距离较近,一般不超过1.2m,带宽在欧洲及其他地区限制为几千赫兹。但超高频(860~93Uh1Hz)和微波(2.45GHz,5.8GHz)可以提供更远的工作距离,更高的数据速率,更小的天线尺寸,因此成为RFID的热点研究领域。

本论文提出的射频电路芯片采用支持肖特基二极管和电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)的Chartered 0.35μm 2P4MCM0S工艺进行流片。肖特基二极管具有较低的串联电阻和正向电压,在将接收到的射频输入信号能量转换为直流电源供电时,能够提供较高的转换效率,从而降低功耗。在有效全向辐射功率(EIRP)为4W(36dBm)且天线增益为0dB的情况下,该射频电路芯片工作在915MHz,其读取距离大于3m,工作电流小于8μA。

1 射频电路结构

图1是UHF RF1D应答器芯片系统图,其主要包含了射频电路、逻辑控制电路和EEPROM。其中,射频电路部分又可以分为以下几个主要电路模块:本地振荡器和时钟产生电路、上电复位电路、电压参考源、匹配网络和反向散射电路、整流器、稳压器以及幅度调制(AM)解调器等。其中除天线外无外接元器件,天线部分采用偶极子结构,并通过匹配网络与整流器的输入阻抗进行匹配,作为整个芯片的唯一能量来源。其等效模型如图2所示。偶极子天线阻抗的实部由Rra和Rloss,两部分组成,其中Rra为偶极子天线的辐射阻抗,是偶极子天线固有的,一般为73Ω,它表征天线对外辐射电磁波的能力;Rloss为制作天线所用金属带来的欧姆电阻,一般只产生热量。天线阻抗的虚部X一般为正值,这是因为天线一般来说总是对外呈现电感性,此等效电感的大小一般取

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