存储分析相变记忆存储将加快SSD转型速度
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存储分析相变记忆存储将加快SSD转型速度  2012/3/1
相变记忆体(PCM)是在英特尔、Numonyx和三星等公司推动下的一种新兴的非易失性技术,可以成为低成本、更可靠、更快的记忆体,并可以替代闪存记忆体。一些行业内部人士甚至相信PCM有足够的潜力来加快数据存储市场从硬盘驱动器(HDD)转型到固态驱动器(SSD)的进程。其中一位专家就是EdDoller。他是Numonyx首席技术官。Numonyx是英特尔与STMicroelectronics的合资公司。Doller表示:"PCM是一个非常有前途的闪存替代技术。通过这项

相变记忆体(PCM)是在英特尔、Numonyx和三星等公司推动下的一种新兴的非易失性技术,可以成为低成本、更可靠、更快的记忆体,并可以替代闪存记忆体。

一些行业内部人士甚至相信PCM有足够的潜力来加快数据存储市场从硬盘驱动器(HDD)转型到固态驱动器(SSD)的进程。

其中一位专家就是Ed Doller。他是Numonyx首席技术官。Numonyx是英特尔与STMicroelectronics的合资公司。Doller表示:"PCM是一个非常有前途的闪存替代技术。通过这项技术,业内可以继续自信地进行从HDD到SSD的转型过程。"

PCM还处于初步阶段

不过,PCM仍然还处于初步阶段,而且这个技术还面临着一系列问题。Numonyx和三星(三星为Numonyx的PCM产品设计市场规格)什么时候可以商业化推出PCM产品?PCM产品的价格是否可以和闪存记忆体竞争?

惠普负责行业标准服务器的产品经理Richard Tomaszewski表示:“PCM拥有很高的读取/写入速度,以及低易失性和高存储密度。PCM可以避免NAND的缺点以及传统硬盘驱动器的限制。因此,一些人认为PCM将成为继NAND闪存记忆体技术之后的下一代技术。”不过,Tomaszewski表示业内还有一些其他非易失性记忆体技术--包括电阻记忆体(RRAM)和自旋极化随机存取记忆体(STTRAM)--这些技术也有可能成为可行的替代技术。Tomaszewski表示:"这些技术还需要进一步的测试和开发才能证明它们是否是可行的。高数量和高产出率是成功的技术转型的关键。"Tomaszewski表示,要替代现有技术,新技术必须在可靠性、耐久性和服务寿命上与原来技术持平或比原来技术更好。他表示新技术需要数年时间从实验室阶段转向生产阶段以便获得足够的产量来达到规模可行性并满足可靠性和耐久性预期。

相变记忆体到底是什么?

Doller表示,PCM拥有高性能和低能耗的特性,能够在一个芯片上结合NOR、NAND和RAM的最佳特质。他表示这些特质包括:比特可变性、非易失性、高读取速度、高写入/擦除速度以及良好的可扩展性。

比特可变性:和RAM或EEPROM(电可擦可编程只读存储器)一样,PCM是比特可变的--也就是说存储的信息可以从1切换成0,或从0切换成1,这个过程中无需擦除步骤。闪存记忆体技术需要单独的擦除步骤来改变信息。

非易失性:PCM是非易失的,就像NOR闪存和NAND闪存一样。PCM不需要持续的电源供应来保持信息,而RAM则需要。

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