CMOS产品主导2.4GHz以下低功耗RFIC市场
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CMOS产品主导2.4GHz以下低功耗RFIC市场  2012/3/1
RFIC以GaAs为主,以SiGe、BiCMOS和CMOS技术为辅。基于成本结构与功耗的双重考虑,目前在2.4GHz以下的RFIC几乎是CMOS工艺的天下,通过高端CMOS工艺,CMOS应用频率已可涵盖到5.8GHz,甚至更高。特别在短距离的ISM频带数据通信中,除了工业、科学和医学应用外,消费性电子应用也普遍利用这些频谱资源了。近年来,得益于无线产业上下游生产链的紧密配合,RF模块的设计也越来越简化,成本越见降低,终端使用者将更乐于享受无线生活带来的便利。笙科
 RFIC以GaAs为主,以SiGe、BiCMOS和CMOS技术为辅。基于成本结构与功耗的双重考虑,目前在2.4GHz以下的RFIC几乎是CMOS工艺的天下,通过高端CMOS工艺,CMOS应用频率已可涵盖到5.8GHz,甚至更高。特别在短距离的ISM频带数据通信中,除了工业、科学和医学应用外,消费性电子应用也普遍利用这些频谱资源了。近年来,得益于无线产业上下游生产链的紧密配合,RF模块的设计也越来越简化,成本越见降低,终端使用者将更乐于享受无线生活带来的便利。

笙科电子正是以CMOS技术设计2.4GHz RFIC的主要供货商。其专注以CMOS工艺设计RFIC,从组件布局设计、多晶硅闸极电阻降低,功耗最佳化,独特的电路架构,均伴随着制程工艺逐渐缩小,CMOS RF的高频特性已经逐渐提升,目前,笙科电子正挑战以CMOS RF制程实现商用化5.8GHz无线射频IC。该公司根据各种不同无线应用给客户提供两大选择:2.4GHz与Sub1GHz。

笙科电子采用高整合概念设计RFIC,芯片内建VCOPLL、LNA、PA、FIFO、RSSI、Auto Calibration等功能,使用者可自行选择熟悉的MCU通过SPI接口控制RFIC,笙科电子的RFIC对于MCU并没有挑剔性,RFIC与MCU之间均为数字接口,易于开发与除错,配合笙科电子提供的RF Library及开发套件,研发时不需要艰深的射频知识,生产时也不需要昂贵的射频仪器|仪表。RF模块仅需少量的外部组件(10~20颗R/L/C),完全不需要滤波器、balum等射频组件即可轻易地开发各式各样的无线应用。该方案为用户带来的方便之处体现在:

1.支持低成本石英震荡器

石英震荡器向来是RFIC的起震来源,多数RFIC仅能支持单一频率的石英震荡器,有时该石英震荡器并不普遍,需要特别订做,造成使用者的困扰。笙科电子设计的RFIC支持多种常见的石英震荡器,也支持与MCU共享一个石英震荡器,应用端RF模块的成本与设计可因此更为精简。

2.高Q值电感降低设计难度

在无线通讯电路中,电感应用于RFIC中的电路阻抗匹配及VCO的LC tank,设计电感的挑战在于以硅制程技术不易做到低损耗(high-Q)的电感,长期以来RFIC内建的电感Q值都不容易做高,主要受限于电感值是正比于绕线圈数,在珍贵的IC面积设计高Q值电感是极大的挑战,笙科电子长久与晶圆厂技术合作,积极开发高Q值的电感,除了利用传统的改善方法外,针对特殊的应用研发微机电型(MEMS)电感,利用MEMS技术制作出高Q值的电感。

3.高灵敏度低噪放大器

低噪放大器(LNA)是RFIC效能优劣的第一道关卡,LNA必须能从来自天线的众多信号中取出所要的频段;因此,LNA设计需符合低噪声、高线

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