技术解析：三星铜制CMOS影像感测器
Chipworks公司分析了三星电子最新的S5K3BAF 2 Mp CMOS影像感测器 (CIS)模组。这是Chipworks首次发现运用了130纳米铜制程的CIS技术。图像阵列的‘De-Metallized Zone’ (DMZ)结构消除了反射耐蚀层,促进了光学效率。
Chipworks技术情报部经理Gary Tomkins先生表示﹕「三星电子这套整合方案十分巧妙,把介电堆迭的图像阵列电介质进行解耦。它容许了外部电路更多金属的应用,保证了更高质素的电晶体整合及系统性能。除此之外,130纳米铜制程允许应用MIM（金属-绝缘体-金属）电容器,以及主动像素感测器（APS）较低的厚度结构,因此改善了在较低图素下的光学性能,为一项杰出技术。」
Chipworks高级技术分析师Dick James先生表示﹕「三星电子于300纳米铜线上组装了此技术,显著降低晶片成本,与此同时,亦改良了较细晶粒的性能。三星电子新一代的崭新制程大有可能赢得更多设计大奖,有趣的是,当成本降低及性能提升,会否吸引其他竞争对手如东芝、Micron、台积公司及联华电子采用此技术,把CIS组装到铜线。」
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