IBM、特许半导体、英飞凌科技和三星近日联合推出四方合作采用45纳米低功耗工艺制造的首批芯片,并开始供应设计套件。关键设计元素的早期硅化,加上首批设计套件,能够让设计者率先演进至这个由行业领先的CMOS工艺研发联盟研制的最新工艺。首批设计套件是四大公司联合打造的,现已开始供货。这批首次采用45纳米工艺制造的面向下一代通信系统的工作电路,拥有成熟的硅性能,运用了联盟伙伴联合开发的工艺。这批芯片在联合开发团队的驻地—
IBM、特许半导体、英飞凌科技和三星近日联合推出四方合作采用45纳米低功耗工艺制造的首批芯片,并开始
供应设计套件。关键设计元素的早期硅化,加上首批设计套件,能够让设计者率先演进至这个由行业领先的
CMOS工艺研发联盟研制的最新工艺。首批设计套件是四大公司联合打造的,现已开始供货。
这批首次采用45纳米工艺制造的面向下一代通信系统的工作电路,拥有成熟的硅性能,运用了联盟伙伴联合开发的工艺。这批芯片在联合开发团队的驻地——IBM设在纽约州East Fishkill的
300毫米晶圆工厂生产。已成功通过验证的功能块,有英飞凌提供的标准库元件、输入/输出元件,还有联盟开发的嵌入式存储器。英飞凌已在首批300毫米晶圆上实现了特殊电路,以测试这个复杂的工艺,并取得产品架构互动方面的初步经验。
