据悉,日前英特尔和美光向市场联合推出了8GB闪存芯片,这些芯片是在这两家公司的的合资公司IM Flash Technologies(IMFT)制造的。

       据知情人士表示,英特尔和美光此次推出的这款8GB闪存芯片采用了90纳米制造工艺,每个芯片由四个单一的2GB芯片堆叠组成,使得总储存容量达到8GB。但该人士表示目前尚不能够详细说明英特尔和美光推出多级单元(MLC)或单级单元(SLC)的8GB闪存芯片的时间表。又有其他消息称,英特尔今年下半年开发出多级单元8GB闪存芯片的样品,预计于明年中期实现该产品的量产。

       IM Flash Technologies公司今年1月份刚刚成立,虽然目前该合资工厂中的制造工艺稍落后于竞争对手,但它们的产品仍然收到了客户满意的反馈。该公司最近刚推出他们50纳米4GB单级单元闪存芯片。

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