新版简况2003ITRS(InternationalTechnologyRoadmapForSemiconductors—2003年国际半导体技术发展路线图)已是第6版。自1999年起每逢单年ITRS进行修订,双年则仅对部分表格中的数字进行更新。ITRS2003年版的修订工作于去年年初即已开始进行,经过三次大会的广泛讨论,于2003年底发表。ITRS2003年版与2001年版相比,参与人数由839名增加至936名,篇幅也增加不少,由487页增加至661页。新版内容反映了近两年来研发工作的进展,同时提示产业界
新版简况
2003ITRS(International Technology Roadmap For Semiconductors—2003年国际半导体技术发展路线图)已是第6版。自1999年起每逢单年ITRS进行修订,双年则仅对部分表格中的数字进行更新。ITRS 2003年版的修订工作于去年年初即已开始进行,经过三次大会的广泛讨论,于2003年底发表。
ITRS 2003年版与
2001年版相比,参与人数由839名增加至936名,篇幅也增加不少,由487页增加至
661页。新版内容反映了近两年来研发工作的进展,同时提示产业界人士面对新的强大挑战要具有清醒的头脑。
ITRS 2003年版共分
16章,它们是：综述;系统驱动;设计;测试与测试设备;
RF与混合信号技术;前端工艺;光刻;工厂集成;环境,安全和保健;计量;设计;工艺集成;器件与结构;新型器件研究;互连;装配与封装;成品率的提高;建模与模拟。与2
1001年版相比增加了“RF与混合信号技术”和“新型器件研究”两章。
RF集成电路引人注目
现在无线技术应用的RF集成电路包罗万象,例如：
SiCMOS, Si BiCMOS, Si LDMOS, GaAs MESFET, GaAs PEMT, GaAs HBT,
InPHEMT, InP HBT,等等。它们在结构、工作原理、制作材料等方面各不相同,各有优势。相对优势又随着研究工作的进展而在不断变化,封装结构也不相同,很难理出一条清晰的线索。
ITRS 2003版将应用分为四部分：①0.8~10 GHz频率范围的模拟混合信号集成电路;②0.8~10 GHz频率范围的收发器;③0.8~10 GHz频率范围的
功率放大器件与功率管理器件;④毫米波器件(10~
100GHz)。
总的来说,无线通信系统对RF器件的要求有价格、上市时间和产品性能等;具体技术要求则包括：频带、功率、功能、外形大小、是否适合大规模生产等。
硅器件经常是依靠缩小几何尺寸来改进器件的性能,而III-V族化合物器件则主要通过选择材料和改变材料禁带结构优化载流子的传输性能来改进的。硅器件适合大规模生产,价格比较低;而III-V族化合物器件则在性能方面占有优势。至于III-V族化合物器件内部,GaAs生产比较成熟,而InP的性能则更显优越。
按照频率划分,Si CMOS, SiGe, GaAs, InP器件的可使用频率依次往上递增。目前Si和SiGe的界限大约在5 GHz;SiGe和GaAs的界限大约在20 GHz;虽然SiGe的频率可以达到
40GHz,但是在噪音和功率方面无法和GaAs比;GaAs和InP的界限大约在70GHz附近。但在将来,Si和GaAs的界限将往上移,而GaAs和InP的界限将往下移。估计在相当长的一段时间里,一个应用领域会出现好几种产品长期并存的局面。当前在无线电话
手机领域,BiCMOS和CMOS并存, BiCMOS略占上风;将来CMOS有可能超越BiCMOS而居首位。在终端功率放大器
模块方面目前GaAs HBT和LDMOS在市场份额上相差不多,未来Si有可能超过GaAs。在毫米波
接收器领域,目前主要是GaAs PHEMT和InP HEMT,不久将形成SiGe HBT, GaAs MHEMT, InP HEMT三足鼎立
