晶圆清洗的挑战——《半导体国际》第三届晶圆清洗技术研讨会
2006年8月10日,上海龙东商务酒店,由《半导体国际》主办的第三届晶圆清洗技术研讨会在此圆满结束,与会者包括国际知名设备材料供应商和中国本土主要晶圆制造商的专家、经理人和工程师,通过对研发过程和实际生产中晶圆表面处理方案的分析,共同探讨了现金主流清洗技术的应用和发展方向……
精彩花絮
表面预处理技术的蓝图及挑战
ITRS ,FSIInternational Jeffery W. Butterbaugh
■ 过去,表面预处理受到污染物移除的限制;今天在不断创新以缩放比例的制造环境中,表面预处理在器件结构和性能上扮演更为重要的角色。
■ 湿法处理的要求：更高的选择比、刻蚀均匀性和刻蚀精度。
■ 结技术发展需要新的湿法刻蚀化学试剂
■ 结合新材料和新结构来达到芯片尺寸等比缩小,集成这些新材料和新结构需要先进的湿法处理技术和表面预处理能力。
■ 全湿法、无灰化的光阻去除技术对于IC制造商降低工厂资本成本和缩短产品成熟周期有明显的作用。
■ 减少材料损失和表面破坏是无灰化光阻去除技术的动机。
■ 通过在一批溅射工具中创造更高温度的Piranha工艺获得高的植入光阻（>1x1016 ions/cm2PLAD）去除。
■ 采用全湿法、无灰化光阻去除技术,成本效益得到实施,层循环时间缩短至少3%。
■ WSix广泛应用于VLSI制造,主要用来降低gate poly与金属线间的电阻。 WSix和gate poly的连接很重要。WSix淀积预清洗工艺在改善质量方面扮演了极重要的角色。
■ 利用SEM查看典型缺陷,WSix和gate poly界面处有极小微粒,尺寸<0.1um,在WSix淀积前极难被检测出来。
■ VHF清洗能增强H3PO4结晶的成形,且不会被去除;通过预清洗,成品率得到改善。
■ ITRS公布半导体发展趋势,逻辑器件、存储器件的发展对材料提出了新的要求。
■ 器件结构几何尺寸的收缩要求更严密的CD尺寸控制。
■ 成功的抗蚀剂和刻蚀残渣去除机必须满足大批量IC制造环境中可接受的3个条件:(1)与灵敏低K介质材料的兼容性;(2)去除抗蚀剂和刻蚀残渣;(3)与基质金属包括铜、钴、钨等金属的兼容性。
■ 随着CD尺寸的缩小和晶圆面积的增大,过滤面临着进退两难的局面。
■ 区域薄膜过滤器对流量和粒子保持力的改善。
■ QuickChangeATM过滤器优于ATX过滤器的地方。
