当聚合物用于浅槽绝缘（STI）有源层和其它关键叠层时,先进图像计量学（AIM）靶比嵌套（BiB）叠层靶能提供更好的工艺稳定性,这点已被证明了。但是,目前以它们的技术极限进行DRAM铝后道工艺时,由测量噪声引起的不充分叠层控制造成返工和良率下降。Infineon的DetlefHofmann和KLA-Tencor的同行指出对于110nmDRAM工艺,AIM靶能为接触2层和金属2（M2）层提供必要的叠层控制,而且改善了后光刻和后刻蚀测量之间的匹配性。最主要的是,AIM靶改
当聚合物用于浅槽绝缘（
STI）有源层和
其它关键叠层时,先进图像计量学（AIM）靶比嵌套（BiB）叠层靶能提供更好的工艺稳定性,这点已被证明了。但是,目前以它们的技术极限进行DRAM铝后道工艺时,由测量噪声引起的不充分叠层控制造成返工和良率下降。
Infineon的Detlef Hofmann和 KLA-Tencor的同行指出对于
110nm DRAM工艺,AIM靶能为接触2层和金属2（
M2）层提供必要的叠层控制,而且改善了后光刻和后刻蚀测量之间的匹配性。最主要的是,AIM靶改进了叠层计量学设备能力和设备与设备之间的匹配。他们在二月的SPIE Microlithography研讨会上介绍了自己的研究成果。
在高密度DRAM器件中,紧凑设计原则需要严格的工艺控制和几乎不允许的计量学噪声。从多重位置到分析模型的合适的叠层数据产生了分批处理和分档纠正的数据。铝工艺中由于与铝颗粒有关的空间噪声,以及溅射工艺引起的工艺诱发旋转和增大效应（称为晶圆诱发偏移[
WIS]）,所以模拟残差即模型和测量数据之间的偏差通常比其它任何工艺层都大。随着溅射靶的磨损,这些偏差的程度也发生改变。
除了这些溅射特定参数外,叠层靶设计也影响偏差的大小。M2层的溅射通常在一个宽度有变化的凹槽结构上,为了获得稳定的工艺控制,需要产生不同的旋转和增大效应来补偿。
为了补偿WIS效应,光刻之后和刻蚀之后对叠层进行测量。叠层差异用来补偿后光刻WIS效应。为了维持可靠的WIS调整,后光刻和后刻蚀叠层差异必须是稳定的。
图1显示了用于M2层的常规BiB叠层计量学靶的局限性。铝颗粒在外条上引起与靶老化、不对称有关的粗糙边缘。AIM靶（图2）中每个方向的多个条获得了更好的均衡并提供更精确的结果和更低的噪声。
尺寸比BiB条宽度小的凹槽减小了由铝溅射引起的WIS效应。工程师优化AIM靶尺寸和工作周期（线/间隔）来减小与铝颗粒尺寸有关的靶噪声。由于一些铝颗粒生长得比条凹槽宽度大,局部与相邻条连接,所以最初设计仍证明噪声太大。再设计AIM靶具有较高的工作周期,减小了整个靶尺寸。
Infineon 和 KLA-Tencor工程师在可控实验中测试了AIM和BiB靶,进行长期试验来检验其在真实生产条件下的性能。结果证明,与BiB计量学相比,AIM计量学的动态测量可重复性提高了两倍。由于多靶设计和凹槽尺寸减小,AIM靶在单独批次实验中模拟旋转和晶圆增大的WIS效应（后刻蚀和后光刻数据）比BiB小。
长期运转要考虑
多种溅射设备、曝光设备的过程控制和溅射设备中的变化。从BiB到AIM靶的改变使由于模拟的晶圆旋转和增大引起的WIS分布密集,带来更稳定的批次间控制。新产品上采用AIM靶能更快地验明工艺过程难题,缩短获得稳定过程控制的时间。
