单晶圆FEOL光阻去除创新解决方案问世
单晶湿式处理解决方案提供商SEZ（瑟思）集团日前宣布,己开发出新型化学工艺,将极大地改善前段工艺（FEOL）中的光阻去除工艺 。SEZ的专有技术Enhanced Sulfuric Acid(ESA)去除工艺能够利用一系列以硫酸为主的化学试剂,缩减了目前在光阻去除机或者批式环境中实施的光阻去除工艺的步骤：光阻重修、蚀刻植入后和光阻去除以及在等离子光阻去除工艺之后的残留物去除等。在数个重要客户的单反应室R&D设备上进行的评估实验证明,这一全湿式化学方法取得了令人振奋的效果,而且预计在本年度后期,实施在SEZ多反应室FEOL的量产生产设备上时,有望取得更大的进步。
光阻去除是一个耗时、耗成本的工艺。在FEOL需要将近20个或更多的步骤来完成,其中植入后的光阻去除需要12到15次。由于在整个湿式清洗过程中,等离子光阻去除导致硅片的氧化和后来的氧化物去除,反复地执行这一步骤会导致严重的硅片累积损失,进而极大地降低了晶体管的性能。芯片制造商们需要的是能够应对这些挑战的清洗工艺－在缩减整体步骤的同时,尽可能地减少硅片损失,而且能够确保更短的工艺时间,以及实实在在的成本节约。SEZ充分利用了在单晶圆层面的专家技术,开发出了灵活的全湿式化学方法,消除了对等离子光阻去除的需求,进而避免了因高温而产生的缺陷。与批式设备相比,单晶圆设备实现了一系列的优势：更好的缺陷控制（杂质颗粒在晶圆之间或者在晶圆晶背之间的转移减少）;更好的工艺控制（均匀性得以改善,基材损失控制在最小）;以及更优化的耗材利用率（单晶圆设备能够循环使用化学试剂）。
SEZ的ESA去除工艺利用了一种增强的硫酸清洗,温度最高可以达到140℃。到目前为止,该工艺已经成功用于去除i-line和深紫外线（DUV）的光阻,以及那些包含大范围植入离子的光阻。典型的工艺时间非常短,而且在晶圆的正面和背面不会产生很多缺陷。加上该工艺可以循环使用化学试剂能以及低耗材损耗等性能,凡此种种,都使得ESA去除工艺有可能在拥有成本上实现重要的改进。
SEZ表示,新的FEOL方法几乎能够实现与单晶圆湿式技术相关联的所有主要优点：更短的周期、更少的缺陷、更经济地使用化学试剂、最小的基材损伤以及正如预期地,整体拥有成本的改善。
