IR推出D类音频参考设计
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IR推出D类音频参考设计  2012/3/1
国际整流器公司(IR)近日推出IRAUDAMP3D类音频参考设计。这款全新的小型参考设计采用IRS20124S高压模拟IC及IRF6645DirectFET®功率MOSFET,可实现无散热器的120W六通道半桥D类音频功率放大器。IR公司节能产品部副总裁谭仲能先生指出:“通过采用业界领先的功率MOSFETS对我们的D类音频高压集成电路进行优化,IRAUDAMP3能够为我们的客户提供显著的性能和尺寸方面的优势。”集成了IRS20124S高压集成电路的参考设计具有内部可选死区
  国际整流器公司(IR)近日推出IRAUDAMP3 D类音频参考设计。这款全新的小型参考设计采用IRS20124S高压模拟ICIRF6645 DirectFET ®功率MOSFET,可实现无散热器120W 六通道半桥D类音频功率放大器。

  IR公司节能产品部副总裁谭仲能先生指出:“通过采用业界领先的功率MOSFETS对我们的D类音频高压集成电路进行优化,IRAUDAMP3能够为我们的客户提供显著的性能和尺寸方面的优势。”

  集成了IRS20124S高压集成电路的参考设计具有内部可选死区时间发生电路,可以防止噪声和电源电压波动,有助于在60W、4Ω的情况下实现0.01%的总谐波失真(THD),而在120W、4Ω单通道可实现94%的效率。此外,该集成电路还内置了双电流感测和集成的关断功能,在出现扬声器引线短路等过流状况时保护输出MOSFET。

  IRAUDAMP3的占板面积为4.5平方英寸,也采用了IRF6645 DirectFET 功率MOSFET。创新的DirectFET封装技术通过降低引线电感提高了开关性能,并降低了EMI噪声,从而提高了D类音频放大器电路的性能。其较高的热性能有助于实现4Ω阻抗下的120W运行,而无需使用散热器,这样不仅缩小了电路尺寸,还为设计师作电路布局提供了更大的灵活性,降低了放大器系统的总体成本。
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