IR中国销售总监严国富指出:“全新的DirectFET芯片组是设计人员所需应用于中功率水平之细小,快捷开关,及15至18安培功率转换器的最佳选择。它们不仅能在5至8安培应用上提高超过百分之一的效率,还比采用3颗SO-8器件的典型方法节省了百分之五十的占板面积。”
该芯片组的每个器件都是为了使同步DC-DC降压式转换器电路实现最佳性能而设计的。IRF6631 DirectFET控制MOSFET可降低开关损耗,而IRF6638 DirectFET同步MOSFET则能减少传导损耗及反向恢复电荷。
IRF6631控制FET的栅极电荷为12nC,电阻栅极电荷(99.6 mohmsnC)优值系数比先前的产品减少了16%。IRF6638 DirectFET同步 FET在4.5V时可提供3.0mohms的典型导通电阻,在保持同一栅极电荷时,比现有的器件减少了12%。
IR获得专利的DirectFET MOSFET封装体现了以往标准塑料分立封装没有具备的一系列设计优点。金属罐构造可以实现双面冷却,使先进微处理器供电的高频DC-DC降压式转换器的电流处理能力提升了一倍。此外,采用DirectFET封装的器件均符合有害物质限制(RoHS)规定。
IRF6631和IRF6638 DirectFET MOSFET现已供货,产品基本规格如下:
产品
编号 封装 BVDSS
(V) 10V以下
最大RDS
(on)
(mΩ) 4.5V以下
最大RDS
(on)
(mΩ) VGS
(V) 在25℃
的ID
(A) 典型
QG
(nC) 典型
QGD
(nC) IRF6638 DirectFET
Small Can 30 2.9 3.9 20 140 30 11 IRF6631 DirectFET
Medium Can 30 7.8 10.8 20 57 12 4.4