奇梦达向ATI交付了业内第一批DDR3SO-DIMM样品以支持未来笔记本设计
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2006年6月30日,德国慕尼黑讯——全球第二大DRAM供应商奇梦达股份公司今天宣布,该公司已经向ATI供应了业内的首批DDR3 SO-DIMM （双数据率3小外型双线内存模组） 样品。作为一家增长最快的独立芯片公司,ATI是全球领先的创新三维图形解决方案设计与制造商。DDR3将成为服务器系统、台式机和笔记本电脑用高速、低功率组件与模组的新一代标准。搭载奇梦达DDR3 SO-DIMM内存技术的第一批笔记本电脑预期将在2007年开始供应。
全新奇梦达 DDR3 512MB SODIMM模组是全球最快的 SO-DIMM模组,以800 Mbps和1067Mbps的卓越传输率处理数据,相当于每秒钟处理约40首MP3歌曲或80个高分辨率数字图像。
“长电池寿命、轻型设计以及强大的性能是领先移动平台的基准。借助奇梦达为ATI提供的业内首批DDR3 SO-DIMM 模组,我们正在努力将平台的性能与功率效率推向更高水平,” ATI 平台营销主管Reuven Soraya说,“通过与奇梦达的密切合作,我们持续扩大ATI在行业内的技术优势。这必将对下一代笔记本电脑产生巨大影响。”
“奇梦达DDR3内存模组是第一款运行电压仅需1.5伏的 SO-DIMM模组,其目标是让电池工作时间成功达到一个工作日,” 奇梦达管理委员会成员 Thomas Seifert说,“由于带宽提高,供电电压的削减和奇梦达领先的节能技术将成为未来笔记本满足低功耗与低产热要求的前提条件。”
根据DRAMeXchange 预测,2008年,DDR3的产量将提高至DRAM总体产量的30%。2009年,DDR3将替代其前身 DDR2成为主要量产产品。
奇梦达DDR3 SO-DIMM模组由南亚科技和奇梦达共同开发的产品,基于DDR3 512Mbit 组件,并支持全新功能,从而允许其达到前所未有的处理速度,如动态 ODT （片上终端）。动态 ODT能够增强数据母线（要求以非常高的数据率在每通道运行 2个 DIMM）上的信号完整。34欧姆的校准驱动阻抗则将优化DDR3 SDRAM 输出驱动的阻抗。加上削减的接口寄生现象,数据母线上的读写运行将使得非常高的传输率成为可能。
