中芯国际采用ARM物理IP，支持90纳米技术下的低功耗高性能设计
中国上海和英国剑桥5月31日电 /新华美通/ -- 全球领先的芯片代工公司之一,中芯国际集成电路制造有限公司（中芯国际,NYSE: SMI; HKSE: 0981.HK）和 ARM 公司共同宣布：中芯国际采用 ARM(R) Artisan(R) 物理IP系列产品中的 ARM Metro(TM) 低功耗/高密度产品和 Advantage(TM) 高性能产品,用于90纳米 LL（低渗漏）和 G（主流）处理工艺。该协议通过在 ARM 网站免费下载的方式进一步增进了两家公司在推动前沿设计和制造方案方面的协作和承诺。
中芯国际设计服务副总裁欧阳雄表示：“同 ARM 的继续合作进一步加强了我们对客户的承诺：提供包括 ARM 高质量的、经芯片验证的物理IP在内的全面的制造发展蓝图。通过和 ARM 的合作,我们可以向90纳米工艺的客户提供 ARM Metro 和 Advantage 产品,帮助他们缩短设计时间、降低风险并加快产品上市速度。”
ARM Metro 低功耗/高密度IP针对便携式电子产品作了优化;Advantage IP 提供高速度低功耗的性能表现,能够满足诸多消费电子、通信和网络市场中的应用要求。Metro 和 Advantage 产品都包括 ARM 标准单元库和多重存储编译器。Metro 标准单元包括功耗管理工具套件,能够实现动态和耗散功率节省技术,例如时钟门控、多电压岛和功率门控。Metro 存储编译器也提供类似的先进的功率节省特性。
Metro 和 Advantage IP 包括 ARM 广泛的 Views 和模型集,提供和很多业界领先 EDA 工具的整合。这些 Views 在诸多运行条件下为 Metro 和 Advantage 产品提供功能、时钟和功率信息,从而使设计师可以实现复杂的电能管理系统,在他们的 SoC 中主动地控制动态和耗散功率。
ARM 物理 IP 市场部副总裁 Neal Carney 表示：“中芯国际的先进技术发展蓝图继续为客户提供最适合目前 SoC 设计的执行方案。通过采用 ARM Metro 和 Advantage 产品,中芯国际的客户在消费电子、通信和网络应用中有了一个优化的物理 IP 选择。”
产品上市
ARM Metro 和 Advantage IP 设计 Views 预计将在2006年第四季度通过 ARM 网站向授权顾客提供免费下载。帮助客户开始设计和仿真工作的初步的“前端”设计 Views 预计将于2006年第二季度末上市。
