IR2XXX三相桥功率驱动芯片的原理及应用PrincipleandApplicationof3-PhaseBrigdeDriver
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IR2XXX三相桥功率驱动芯片的原理及应用PrincipleandApplicationof3-PhaseBrigdeDriver  2012/3/1
摘要:IR2133/IR2135/IR2233/IR2235系列驱动芯片内部集成了互相独立的3组半桥驱动电路,具有多种保护电路,可直接驱动功率半导体MOSFET或IGBT。本文简要介绍了其电气性能、工作原理和典型应用电路。关键词:三相桥驱动;功率半导体;保护电路1.概述InternationalRectifier公司的IR2133/IR2135/IR2233/IR2235系列驱动芯片是专为高电压、高速度的功率MOSFET和IGBT而设计的。该系列驱动芯片内部集成了互相独立的3组半桥驱动电路,可对上下
 

    

    摘要:IR2133/IR2135/IR2233/IR2235系列驱动芯片内部集成了互相独立的3组半桥驱动电路,具有多种保护电路,可直接驱动功率半导体MOSFET或IGBT。本文简要介绍了其电气性能、工作原理和典型应用电路。

    关键词:三相桥驱动;功率半导体;保护电路

    1. 概述

    International Rectifier公司的IR2133/IR2135/IR2233/IR2235系列驱动芯片是专为高电压、高速度的功率 MOSFET和IGBT而设计的。该系列驱动芯片内部集成了互相独立的3组半桥驱动电路,可对上下桥臂提供死区时间,特别适合于三相电源变换等方面的应用。芯片的输入信号与 5VCMOS或LSTTL电路输出信号兼容,因此可直接驱动,而且其内部集成了独立的运算放大器,可通过外部桥臂电阻取样电流构成模拟反馈输入;具有故障电流保护功能和欠电压保护功能,可关闭六个输出通道,同时芯片能提供具有锁存的故障信号输出,此故障信号可由外部信号清除。各通道良好的延迟时间匹配简化了其在高频领域的应用。

  2. IR2XXX的主要性能

    2.1IR2XXX的封装形式

    IR2133/IR2135/IR2233/IR2235的封装有28脚DIP、44脚PLCC和28脚SOIC三种形式,后两种用于表面贴装。图1所示为28脚DIP形式封装图,各个管脚的功能说明如表1所列。

    2.2IR2XXX主要参数

表2所列为IR2XXX的主要特性参数。表中的参数测试条件为:

℃ 除非另外说明,静态时和参数的参考点均为

和参数的参考点为和,而动态时的负载电容值为100pF。

   3. IR2XXX的内部结构及典型应用

    3.1芯片结构

    IR2133/IR2135  /IR2233/IR2235的内部电路功能框图如图2所示。可以看出芯片由输入控制逻辑、欠压保护、电流故障保护、故障逻辑、电流检测及放大和输出驱动等电路构成。

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