业内领先的创新公司展示在非易失性存储器和互补MOS技术上取得最新进展意法半导体参加近日在华盛顿DC特区举办的2005年国际电子器件大会（IEDM）,ST将为本届大会带来13篇独立创作和合作创作的科技论文,ST的顶级力作包括展示世界上存储单元最小（0.042平方微米）的65nmNOR闪存技术和一个创新的HBT（异质结双极晶体）体系结构,HBT符合了高性能低成本的基于RFCMOS平台的最苛刻的应用开发要求。“我们参加本届IEDM大会的规模和范围再一次
业内领先的创新公司展示在非易失性存储器和互补
MOS技术上取得最新进展
意法半导体参加近日 在华盛顿DC特区举办的2005年国际电子器件大会（IEDM）,
ST将为本届大会带来13篇独立创作和合作创作的科技论文,ST的顶级力作包括展示世界上存储单元最小（0.042平方微米）的65 nm NOR 闪存技术和一个创新的HBT（异质结双极
晶体）体系结构,HBT符合了高性能低成本的基于
RF CMOS平台的最苛刻的应用开发要求。
“我们参加本届IEDM大会的规模和范围再一次证明了ST的研发实力和引领创新的能力,以及ST推进先进半导体技术产业化的做法,” ST负责前端技术及制造的公司执行副总裁Laurent Bosson表示, “这种超高水平的研究技术还证明ST能够与Crolles2联盟合作伙伴以及来自
其它国家的世界一流的研究机构密切合作。”
ST将针对高性能的1位/单元和2位/单元产品公布一个存储单元尺寸最小（仅为0.042平方微米）的65nm NOR闪存技术,这一成果证明其在非易失性存储器（NVM）市场上的领导地位。 为了解决今天的无线通信应用对更高密度闪存的苛刻需求,ST的方法是利用钴自对准硅化物和三个铜
金属化层集成65nm NOR闪存阵列和1.8 V应用低压CMOS逻辑电路。
ST位于法国Crolles的研究人员针对体基片和
SOI（绝缘膜上硅）开发出一个成本低廉的SiGeC HBT（异质结双极晶体管）体系结构,为向成本低廉的高性能RF-CMOS平台发展铺开了道路。 只要给核心CMOS增加四个掩膜,即可制造出新的器件,创新的分离式发射极布局可以最大限度地降低全注入集电极的电阻率。
除在2005 IEDM大会上宣读多份论文外,ST的MEMS事业部总监Benedetto Vigna还应邀做一个公开的“大会演讲”,向与会者介绍ST公司的MEMS技术、产品及应用。 ST的专家还应邀参加以非易失性存储器及半导体研发为主题的专家讨论组。
微机电系统 (MEMS) 器件正在进入汽车、工业、计算机和消费市场,市场应用范围越来越广。 ST位于微机电系统技术研究和产业化的前沿,在大会演讲中,ST发现无线
传感器网络、智能药丸、片上实验室等新市场和应用都将会受益于这些尺寸小、功耗低、成本低廉的片上微加工机械结构。
作为下一代非易失性存储器的主要替代产品,相变存储器（
PCM）技术越来越引人注意。 ST位于意大利Agrate的研究中心与米兰理工学院合创的两篇论文论述了组成PCM单元的无定形硫族化物材料机械结构,并解释了恢复动力特性和结晶对数据保存能力的影响。
另外两篇论文论述的是有关非易失性存储器结构的缩减和可靠性的重要内容。 第一篇是ST与研究伙伴米兰理工学院共同撰写的,这篇论文讨论了一个新的如何检测应力在氧化硅上引起缺陷的实验方法,第二篇论文是ST与CEA-LETI、比萨大学和CNRSA合创的,这篇论文论述了一项有关离散陷阱非易失性存储器在数据保存期间的电气特性以及其对单元缩小的影响。
ST Crolles联盟CEA-LETI 和其它研究伙伴将发布一篇如何针对高性能双通道CMOS制造超短通道的应变锗p
MOSFET的论文。 实验结果证明,利用很薄的高介电系数的栅极电
