美国国家半导体公司日前宣布,已经采用专有的全新VIP50工艺技术,成功开发6款无论在准确度、功耗及电压噪音都有大幅改善的运算放大器,预计这些新芯片可以满足工业应用、医疗设备及汽车电子系统等产品市场的需求。这几款芯片除了在上述几方面有大幅改进之外,所采用的封装也极为小巧,因此也很适合便携式电子产品采用。美国国家半导体推出了4款型号分别为LMV651、LMV791、LPV511及LPV7215的全新放大器,其特色是增益带宽积达到世界的先进
美国国家半导体公司日前宣布,已经采用专有的全新VIP50工艺技术,成功开发6款无论在准确度、功耗及电压噪音都有大幅改善的运算放大器,预计这些新芯片可以满足工业应用、医疗设备及汽车
电子系统等产品市场的需求。这几款芯片除了在上述几方面有大幅改进之外,所采用的封装也极为小巧,因此也很适合便携式电子产品采用。
美国国家半导体推出了4款型号分别为
LMV651、LMV791、LPV511及LPV7215的全新放大器,其特色是增益带宽积达到世界的先进水平。以
12MHz单位增益带宽的LMV651放大器为例来说,这款放大器比采用
SOT及SC70封装的主要竞争产品节省多达90%的用电。其他的产品也各有自己的优点,其中包括低至1μA以下的
电流以及高达12V的操作电压等特色,而采用SC70封装的纳安(nanoamp)比较器则只有6.6μs的传播延迟。
美国国家半导体一直致力壮大高精度放大器
系列的产品阵容,此次推出的
LMP7701及LMP7711是该公司这方面的努力成果。这两款芯片是该公司新一代运算放大器系列的首两个型号,具有性能更高、输入偏置电压低于
300μV、输入偏置电压保证低于
200fA、以及操作电压高达12V等优点。
LMP7711单组装运算放大器可以提供低电流(50fA)
MOS输入,但所产生的噪音仍然不会超过7nV/sqrt Hz,这个优点有助减少失真及信号调节错误。由于这款放大器获得高精度薄膜
电阻及准确匹配的晶体管配对为其提供支持,因此输入电压偏移错误保证不会超过200μV,共模抑制比(CMRR)又可提高至95
dB,而
电源抑制比(PSRR)则可提高至
100dB。此外,即使这款芯片在 -
40℃至
125℃的极端温度情况下操作,其偏移电压漂移(TCVos)仍可保持在1μV/℃的低水平。
LMP7701高精度放大器可以利用2.7V至12V的供电电压操作,而且可以提供满摆幅
CMOS输入,其输入偏压电流低至只有200fA。工程师可以利用微调及设计技术彻底清除传统满摆幅输入放大器常有的较大偏移错误,以便改善输入偏移电压,使整个共模电压范围(0V至12V)内的输入偏移电压不会超过300μV。这款放大器芯片也采用已注册专利的
校正技术,以调低偏移电压温度系数,以CMOS高精度放大器为例来说,这个系数通常都很大。这两款产品都采用SOT23封装。
