日立(HitachiLtd.)与瑞萨科技(RenesasTechnology)日前发布了低功耗相位转换存储器单元的成功原型。这种非易失半导体存储单元可以在电源电压为1.5V和电流低至100μA的条件下进行编程。与采用以前技术的日立和瑞萨发布的产品相比,每个单元的功耗降低了50%。据介绍,相对于现有的非易失存储器,新的相位转换单元在高速读写能力、编程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更为优异。因此,这些原型可在下一代微控制器中为诸如信息设备、家用
日立(
Hitachi Ltd.)与瑞萨科技(Renesas Technology)日前发布了低功耗相位转换存储器单元的成功原型。这种非易失半导体存储单元可以在
电源电压为1.5V和
电流低至
100μA的条件下进行编程。与采用以前技术的日立和瑞萨发布的产品相比,每个单元的功耗降低了50%。
据介绍,相对于现有的非易失存储器,新的相位转换单元在高速读写能力、编程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更为优异。因此,这些原型可在下一代微控制器中为诸如信息设备、家用电器,以及车载设备和控制系统等嵌入式应用的片上编程和数据存储提供一种颇具前途的解决方案。
该原型单元采用130nm C
MOS工艺制造,其结构采用了MOS晶体管和一层在热响应中呈非晶体状态(高阻抗)或晶状(低阻抗)的相位转换薄膜。两种状态的编程通过180nm直径的钨下电极接点(BEC)实现。在一次读操作中,存储的数字(1或0)信息是由薄膜中电流流动量的差别决定的。
