无源元件集成技术取得新突破
意法半导体（ST）近日公布了一项关于在薄膜无源元件集成工艺中大幅度提高结电容密度的突破性技术。这项技术是以一类被称作“PZTPerovskites”的物质为基础,该类物质是一种化合物,主要元素是铅、锆、钛及氧,根据锆和钛的比例,该物质可发生多种变化。它的介电常数高达900,这个数值是二氧化硅的200倍。这项PZT新技术大幅度扩展了ST的IPAD（集成无源及有源器件技术）的功能,实现集成电容密度高于30nF/mm2,比现有的采用硅或钽的氧化物或氮化物的竞争技术提高电容密度50倍。采用该项新技术的器件适合采用大批量流水线生产。
对于需要大量的无源元件而电路板空间又十分有限的应用（如手机等移动通信设备）,无源元件集成技术非常重要。在这类集成技术中,发现可以集成更高的电容或电阻的新型材料是一个连续不断的挑战。在电容问题上,因为电容取决于表面积和介电常数,而人们总是期望表面积变得更小,所以物质的介电常数则成了最重要的因素。本次公布的PZT新技术则代表了在集成更高电容器技术上的一项巨大的突破。
ST已经利用这项技术生产了大量的客户指定元件,不久将向开放市场推出标准元件。
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