DallasSemiconductor近日推出内置实时时钟(RTC)、采用单芯片表贴封装的非易失性SRAM(NVSRAM)模块——DS3030/DS3045/DS3050/DS3065。在意外或不定期的掉电情况下,这些模块为保护重要数据提供了一种完全集成的便利方法。器件采用27×27mm、256焊球BGA封装,并与外部环境完全隔离密封。新型的DS3030/DS3045/DS3050/DS3065包含可承受回流焊的电池。由于内部集成有智能电路,可持续监视VCC,检查是否超出容限。一旦出现这种情况,自动接通锂
Dallas Semiconductor近日推出内置实时时钟(
RTC)、采用单芯片表贴封装的非易失性SRAM(NVSRAM)
模块——DS3030/DS3045/DS3050/DS3065。在意外或不定期的掉电情况下,这些模块为保护重要数据提供了一种完全集成的便利方法。器件采用27×27mm、
256焊球
BGA封装,并与外部环境完全隔离密封。
新型的DS3030/DS3045/DS3050/DS3065包含可承受回流焊的
电池。由于内部集成有智能电路,可持续监视VCC,检查是否超出容限。一旦出现这种情况,自动接通
锂电池,并无条件使能写保护功能,以防止破坏数据。
该
系列存储器模块对执行写操作的次数没有限制,而且与处理器接口无需额外的支持电路,可替代SRAM、
EEPROM或
Flash存储器。3.3V模块的容量从32k×8位至1M×8位,并具有相同的封装尺寸和引脚排布,从而无需改变封装尺寸可增加产品容量。
此外,这些新型模块内置的RTC具有完整的Y2KC时钟/日历功能,包含有RTC报警、看门狗
定时器、电池监视器以及
电源监视器。RTC寄存器包含世纪、年、月、日、星期、时、分、秒数据,采用
24小时BCD格式。每月天数以及闰年的修正可自动完成。
该系列产品采用单芯片架构,所以可采用标准装配工艺来处理。采用现有的拾取-贴放设备即可从料盘上拾取器件并进行贴放。该系列模块与标准
SMT工艺相兼容,可承受+225℃/+0℃/-5℃的峰值回流焊温度长达30秒。回流焊完成后,可用水基溶液对这些模块进行清洗,无需特殊的防护。
