IBM公司日前发布了据称是全球首款电致发光(EL)纳米管晶体管,并声称该器件发光亮度比发光二极管(LED)强1000倍,光子通量多达1万倍。通过在硅片上发射数千个光子,其能量消耗与砷化镓内的一个光子相同。IBM预测,碳纳米管(carbonnanotube)晶体管将导致在硅片上制成光集成器件。据IBM称,硅片集成光器件将有望降低成本,促进电子学发展,减少对奇异半导体材料(如砷化镓)的需求。IBM表示,其技术通过电气激励悬浮于掺杂硅晶圆上方的碳纳米管,
IBM公司日前发布了据称是全球首款电致发光(
EL)纳米管晶体管,并声称该器件发光亮度比
发光二极管(
LED)强
1000倍,光子通量多达1万倍。
通过在硅片上发射数千个光子,其能量消耗与砷化镓内的一个光子相同。IBM预测,碳纳米管(carbon nanotube)晶体管将导致在硅片上制成光集成器件。据IBM称,硅片集成光器件将有望降低成本,促进
电子学发展,减少对奇异
半导体材料(如砷化镓)的需求。
IBM表示,其技术通过电气激励悬浮于掺杂硅晶圆上方的碳纳米管,实现了1,000倍亮的发射强度。所产生的电子空穴对电气中性,当复合时发射出红外光。
其它研究组织也报道过碳纳米管发光,由激光激励光致发光。IBM则宣称其技术仅采用电气激励产生电子空穴对,密度比光致发光大100倍。
IBM表示,凭借其光发射技术实现了非常高的效率。IBM在高掺杂的硅晶圆上的二氧化硅薄膜内蚀刻了沟道,制成了此款光发射晶体管。晶圆衬底充当碳纳米管晶体管的背面门极。而器件所发射的红外光强度与门极驱动
电流呈指数相关。
