ROHM开发出高耐压大电流型快速恢复二极管RF2001T4S
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ROHM开发出高耐压大电流型快速恢复二极管RF2001T4S  2012/3/1
半导体生产商ROHM株式会社已开发了适用于等离子显示器的高耐压(400V)、大电流型(20A)快速恢复二极管「RF2001T4S」,从2005年7月起开始样品出货(样品价格7.1人民币/个),并于2005年10月起以月产100万个的规模实现量产。前期工序在ROHMWAKODEVICE(日本冈山县笠冈市)完成;后期工序在韩国的ROHMKOREACORPORATION完成。由于作为主要应用对象的等离子TV对于更高画质的要求,使快速恢复二极管的耐压特性必须从原有的350V提升到400V,实
 

  半导体生产商ROHM株式会社已开发了适用于等离子显示器的高耐压(400V)、大电流型(20A)快速恢复二极管「RF2001T4S」,从2005年7月起开始样品出货(样品价格7.1人民币/个),并于2005年10月起以月产100万个的规模实现量产。前期工序在ROHM WAKO DEVICE(日本冈山县笠冈市)完成;后期工序在韩国的ROHM KOREA CORPORATION完成。
  
由于作为主要应用对象的等离子TV对于更高画质的要求,使快速恢复二极管的耐压特性必须从原有的350V提升到400V,实现高耐压化。同时,必须保证同原有产品具有相等的高速和低VF特性。
  
   此次ROHM开发的「RF2001T4S」采用了独特的高耐压结构和最新的重金属扩散工序,相比传统产品实现了高速trr化、低VF化以及在高温状态下的低IR化,从而实现了世界最高效率特性。另外,在可靠性方面,在实现高ESD耐量30kV(Typ. 200pF, 0Ω)的同时,降低了高温状态下的发热损失,具有优异的特性。

「RF2001T4S」的主要特性
1) 低VF(原有比降低10%)
2) 高速开关速度(trr)(18ns, 原有比减少40%)
3) 高ESD耐量30kV(200pF, 0Ω)
4) 低IR(100℃, 100μA以下)

   ROHM的二极管一直以来都是采用独特的设计技术、零部件技术及自行开发的生产技术,为能够最先开发出满足市场需要的产品而努力。今后,我们将立足于客户的立场,以客户的要求作为生产开发的方针。

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