近日,日本东芝公司已经在一个SOI（绝缘体上外延硅）晶圆上制造出一款128MB无输出电容器DRAM芯片,正在对这款芯片进行测试运作。东芝公司报告称,去年二月份在最尖端半导体电路技术国际会议（ISSCC）上东芝公司报告了无输出电容器DRAM芯片的设计和模拟效果。在本周举行的电子装置国际会议上,东芝公司展示了这款芯片的运作。声称是全球最大储存密度无输出电容器DRAM芯片。无输出电容器DRAM芯片是在绝缘薄膜下电池产生的浮体效应取代了
近日,日本东芝公司已经在一个
SOI（绝缘体上外延硅）晶圆上制造出一款128MB无输出
电容器DRAM芯片,正在对这款 芯片进行测试运作。
东芝公司报告称,去年二月份在最尖端半导体电路技术国际会议（ISSCC）上东芝公司报告了无输出电容器DRAM芯片的设计和模拟效果。在本周举行的
电子装置国际会议上,东芝公司展示了这款芯片的运作。声称是全球最大储存密度无输出电容器DRAM芯片。
无输出电容器DRAM芯片是在绝缘薄膜下
电池产生的浮体效应取代了电容器使用传统的DRAM芯片储存数据。除了东芝公司外,创新硅公司和瑞萨科技公司也宣布了无输出电容器DRAM芯片的原型,它们早在2000年就开始研究浮体效应电池储存器。
东芝公司
SoC（系统芯片）研究开发中心技术部门
AMD公司首席专家Takeshi Hamamoto表示,东芝公司开发的128MB储存容量无输出电容器DRAM芯片是目前新产品中储存密度最大的产品。他说：“128MB储存容量的科技价值是巨大的,它的设计和开发全部依赖于实际应用,如果有必要,在三年内我们将能够在
LSI (大规模集成电路）中使用”。
东芝公司指出,无输出电容器DRAM芯片是在六层金属上采用90纳米
CMOS制造工艺制作的。电池尺寸为0.17平方微米,大约是传统DRAM电池面积的一半。
在这款芯片的制作中,东芝公司工程师推出了部署版面与信号线、
电源线等铜线最优化的电池设计,这些铜线帮助芯片达到 了书写时间为10 ns（毫微秒,时间单位等于1秒的10亿分之一）,读取时间为20ns。
