瑞昱发表新型集成RFUWB芯片
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瑞昱发表新型集成RFUWB芯片  2012/3/1
TW无厂企业瑞昱半导体和美国加利福尼亚大学的研究小组,将在“ISSCC2006”会议上发表在单芯片中集成支持无线通信技术“UWB(超宽带)”的物理层和RF收发电路的LSI。据悉,这将是首次公开发表在单芯片中集成UWB物理层处理电路和RF电路的LSI。演讲题目为《AFullyIntegratedUWBPHYin0.13μmCMOS》(演讲序号:6.6)。利用130nm工艺CMOS技术在单芯片中集成了直接转换方式的RF收发电路和物理层处理电路。UWB的调制方式采用高速无线通信业
     TW无厂企业瑞昱半导体和美国加利福尼亚大学的研究小组,将在“ISSCC 2006”会议上发表在单芯片中集成支持无线通信技术“UWB(超宽带)”的物理层和RF收发电路的LSI。据悉,这将是首次公开发表在单芯片中集成UWB物理层处理电路和RF电路的LSI。演讲题目为《A Fully Integrated UWB PHY in 0.13μm CMOS》(演讲序号:6.6)。 

利用130nm工艺CMOS技术在单芯片中集成了直接转换方式的RF收发电路和物理层处理电路。UWB的调制方式采用高速无线通信业界团体“WiMedia”提出的多频带OFDM。在3.1GHz~4.8GHz频带中,支持跳频和固定频率2种模式。从RF收发器的耗电电流来看,接收时为100mA,发送时为70mA。芯片尺寸为17mm2。
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