DDR（双数据速率）DRAM应用于工作站和服务器的高速存储系统中。存储器IC采用1.8V或2.5V电源电压,并需要等于电源电压一半的基准电压（VREF＝VDD/2）。此外,各逻辑输出端都接一只电阻器,等于并跟踪VREF的终端电压VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同时,必须提供源流或吸收电流。图1所示电路可为1.8V和2.5V两种存储器系统提供终端电压,并可输出高达6A的电流。IC1有一个降压控制器和2个线性稳压控制器。IC1在输入电压为4.5～28V下工作。IC1
DDR（双数据速率）DRAM应用于工作站和服务器的高速存储系统中。存储器
IC采用1.8V或2.5V
电源电压,并需要等于电源电压一半的基准电压（V
REF＝V
DD/2）。此外,各逻辑输出端都接一只
电阻器,等于并跟踪V
REF的终端电压V
TT。在保持V
TT=V
REF+0.04V的同时,必须提供源流或吸收
电流。图1所示电路可为1.8V和2.5V两种存储器系统提供终端电压,并可输出高达6A的电流。IC
1有一个降压控制器和2个线性
稳压控制器。IC
1在输入电压为4.5～28V下工作。
IC
1的
200kHz固定频率PWM控制器通过提供源流和吸收电流来保持输出电压。最大源电流等于最大吸收电流,但吸收电流没有限流作用。IC
1吸收电流时,将某些电流返回电源输入端。为了实现跟踪功能,IC
1额外的线性稳压控制器之一被配置成一个倒相放大器。这一放大器将V
DD/2（由R
1和R
2产生）与来自IC
1的V
REF进行比较,产生一个误差信号,误差信号通过R
3到达IC
1的FB引脚,从而迫使V
OUT跟踪V
DD/2。为实现精密跟踪,必须用一只10mA的负载电阻器R
4来给倒相放大器提供偏量。当V
DD为1～4V时,V
OUT可跟踪VDD/2。
