全球最大的内存芯片生产商三星电子宣布,已经成功采用70纳米生产工艺制造出第一块DRAM芯片。一旦这种生产工艺广泛应用于该公司的生产线,从同一硅片上生产的芯片数量将会翻倍。芯片上的晶体管越多,它们之间的距离就越近,芯片性能也将得到提升。对于三星、美光和英飞凌等厂商,开发新技术对于削减成本以及增加销量是至关重要的。DRAM芯片在线票据交换所宣称,应用最广泛的DRAM芯片的价格今年下跌了1/3,目前每块的价格仅为2.53美元。由于
全球最大的
内存芯片生产商三星
电子宣布,已经成功采用70纳米生产工艺制造出第一块DRAM芯片。一旦这种生产工艺广泛应用于该公司的生产线,从同一硅片上生产的芯片数量将会翻倍。
芯片上的晶体管越多,它们之间的距离就越近,芯片性能也将得到提升。对于三星、美光和英飞凌等厂商,开发新技术对于削减成本以及增加销量是至关重要的。
DRAM芯片在线票据交换所宣称,应用最广泛的DRAM芯片的价格今年下跌了1/3,目前每块的价格仅为2.53美元。由于生产商大量的需求,现货市场上的DRAM如同原油和小麦一样火爆。
三星同时预计,与目前DRAM产品生产线采用的90纳米生产工艺相比,采用新的生产技术之后,从相同一块硅片上生产的芯片数量起码要增加1倍。用于生产芯片的硅片大小与盘子相当,每块硅片可以生产出数千块芯片。
三星发言人表示,“我们定于明年下半年将70纳米生产工艺广泛应用到DRAM芯片生产中。”目前,该公司已经将这种工艺用于NAND闪存芯片的生产,但DRAM芯片仍主要采用80和90纳米生产工艺。该公司同时发表声明称,为了突破70纳米生产技术的局限性并改进数据刷新功能,公司仍有必要进行技术革新。
三星是在去年中期开始采用90纳米生产工艺进行DRAM芯片生产的,并从今年下半年开始采用80纳米生产工艺。三星表示,从明年中期开始,将采用70纳米生产工艺,生产容量为
512Mb、1Gb以及2Gb的DRAM芯片。
