有效降低高达30%的导电损耗国际整流器公司近日推出一款新型60VDirectFET功率MOSFET－IRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0mΩ(VGS=10V),导电损耗可比同类解决方案减少30%。单个采用SO-8封装的IRF6648,性能可与两个并联的同类增强型SO-8器件相媲美。IRF6648最适用于电信及网络系统的隔离式DC-DC转换器。如果将IRF6648用于48V输入、12V输出的240W隔离式转换器的次级,功率密度可由每平方英寸72W增加15%。这完全归功于IRDirectFETMOSFET
有效降低高达30%的导电损耗
国际
整流器公司近日推出一款新型60V D
irectFET
功率 MOSFET－IRF66
48。该器件的最大导通电阻为7.0 mΩ(VGS=10V),导电损耗可比同类解决方案减少30%。
单个采用
SO-8封装的
IRF6648,性能可与两个并联的同类增强型SO-8器件相媲美。IRF6648最适用于电信及网络系统的隔离式DC-DC转换器。
如果将IRF6648用于48V输入、
12V输出的
240W隔离式转换器的次级,功率密度可由每平方英寸72W增加
15%。这完全归功于IR DirectFET MOSFET 封装技术具有的良好散热设计和双面冷却能力。
IR中国及香港销售总监严国富指出：“我们扩展了中压DirectFET MOSFET产品
系列,这使得
电源设计人员可以有更多的器件选择去改善隔离式DC-DC转换器的初级和次级插槽的性能。”
“IRF6648是一种多功能器件,可用于36V到75V输入的隔离式DC-DC转换器的次级同步整流插槽、初级半桥及全桥隔离式DC-DC总线转换器、24V输入初级正向有源箝位电路和48V输出AC-DC有源ORing系统。”
IR的DirectFET MOSFET封装已获得专利,它集中了标准塑料分立封装所不具备的一系列设计优点。其中的金属罐构造能发挥双面冷却功能,使用以驱动先进微处理器的高频DC-DC降压转换器的
电流处理能力增加了一倍。另外,DirectFET封装的器件均符合“电子产品有害物质限制指令”（RoHS）的要求。
