Spansion1Gb闪存满足高容量数据存储需求
由AMD和富士通公司共同投资的闪存公司Spansion LLC最近展示了基于90nm MirrorBit技术的单芯片1Gb GL NOR闪存,并验证了1Gb ORNAND闪存的工作芯片。
Spansion在其位于得克萨斯州奥斯汀的旗舰制造基地Fab 25所生产的Spansion 90nm MirrorBit技术的产品,为引人关注的高容量闪存开发计划奠定了基础。该项计划旨在开发多款满足无线和嵌入式应用,将所需容量、性能、可靠性和成本结构集于一身的闪存产品。
Spansion公司总裁兼首席执行官 Bertrand Cambou表示：“很多客户都希望利用NOR架构来存储执行代码,因为它具有很高的可靠性、读取性能和易用性。利用我们的NOR和ORNAND架构,通过在90nm技术的基础上将MirrorBit技术扩展到更高的容量。”
在Spansion公司Fab 25所举办的活动上,该公司现场展示了一款基于90nm MirrorBit 技术,在无线手持设备应用中用作数据存储的1Gb ORNAND设备。Spansion代表用一个有存储代码的Spansion NOR闪存和存储数据的1Gb MirrorBit ORNAND芯片的手机参考设计,演示了照相、摄像、音乐和视频播放等多媒体功能。 此次展示证明了Spansion公司产品具有较好的读取性能,可以大大加快电话启动和视频播放的速度,以及对于一台以每秒录入15帧的QVGA摄像机(320×240像素)可以提供快速的写入性能。
读取性能决定了手机用户能够以多快的速度启动他们的电话,使用不同的功能和应用(例如游戏),以及访问关键的内容(例如视频和音乐)。更高的读取性能将会改善用户在无线电话上使用这些多媒体功能时的体验。Spansion公司已经成功拥有市场上容量最高的单芯片1Gb GL NOR的工作芯片。Spansion公司表示,该芯片可以提供出色的读取性能,从而满足很多嵌入式应用对高容量代码和数据存储的需求。
此次活动上,Spansion公司还介绍了其90nm MirrorBit产品开发计划的详细情况,包括计划在今年推出采用了NOR和ORNAND架构的1Gb芯片,以及在2006年中旬推出容量高达2Gb的ORNAND设备。另外,Spansion公司计划在2006年初推出高性能的1.8V 512Mb NOR设备的样品,并在2006年开始生产基于65nm MirrorBit技术的产品。
