先进的MRAM技术受到IBM公司和英飞凌公司研究人员青睐
IBM公司 和英飞凌技术 (Infineon Technologies) 公司将磁存储器元件集成到高性能逻辑基中,开发出他们所声称的"迄今最先进的磁性随机存取存储器技术（MRAM）。"
两家公司相信,该开发成果将加速MRAM的商品化,并有可能在早至2005年取代当今某些存储器技术。MRAM能导致"即时开启"的计算机问世,从而使用户能像电灯开关那样快速地开启和关闭计算机。
这种高速128kb MRAM芯核采用0.18微米基于逻辑的加工工艺制造,据说是迄今报道的MRAM所用的最小线宽。这种很小的逻辑基能让IBM 公司和英飞凌公司采用1.4平方微米这一最小的MRAM存储单元尺寸,而1.4平方微米大约是平常铅笔橡皮头的2000万分之一。通过在这种小存储单元内精确地装配这种磁性结构,IBM 公司和英飞凌公司的研究人员就能控制存储器的读写操作。
MRAM是一种采用磁性载荷,而不是电子载荷来存储数据位的存储器技术。它与当前使用的电子存储器相比,能存储更多的信息,存取速度更快,耗电更少,从而能大大改进便携式计算产品的性能
。MRAM兼有当今常用存储器技术的某些最佳特性,即DRAM 的存储容量和低成本,SRAM的高速度,闪存的非易失性。因为MRAM能够在关闭电源后保存信息,因此使用MRAM的个人计算机等产品就能立刻启动,而不需等待软件来"引导"。
