具有超低导通电阻的MOSFET降低AC／DCSMPS功率损失针对AC/DC同步整流和Oring电路的应用,国际整流器公司（IR）推出一组电压为75V和100V,具有超低导通电阻的AC/DC同步整流MOSFET。这批新器件具备业界超低导通电阻（例如,IRFB4310的RDS(on)为7mΩ;IRFB3207的RDS(on)为4.5mΩ）,能够极大优化笔记本电脑、LCD适配器和服务器等应用AC/DCSMPS的效率和功率密度。IR公司AD/DC事业部产品市场工程师MarioBattello介绍,IR推出的这一组新品MOSFET
具有超低导通电阻的
MOSFET降低AC／DC SMPS
功率损失 针对AC/DC同步整流和Oring电路的应用,国际
整流器公司（
IR）推出一组电压为75V和
100V,具有超低导通电阻的AC/DC同步整流MOSFET。这批新器件具备业界超低导通电阻（例如,
IRFB4310的 RDS(
on) 为7mΩ;
IRFB3207的 RDS (on) 为 4.5mΩ）,能够极大优化
笔记本电脑、
LCD适配器和服务器等应用AC/DC SMPS的效率和功率密度。
IR公司AD/DC事业部产品市场工程师Mario Battello介绍,IR推出的这一组新品MOSFET适用于反激、半桥、全桥、正激转换器等各类不同AC/DC拓扑架构的次边。传统上,在能量密度较高的SMPS中通常是将肖特基
二极管作为输出整流器件,而二极管整流的传导损失（Vf×If）占所有功率损失的一大部分,而将IR的同步整流MOSFET替代肖特基二极管后,“i－V”阻抗特性（RDS (on)×Idrms2）降低了AC/DC SMPS的整体功率损失,从而可极大地提升电路效率。当输出小于等于
12V时,可使用 75V FET,输出小于
24V时,则可使用100V FET。
在实际应用中,IR这一新产品
系列的同步整流MOSFET不仅能实现更高效率,而且能“以一顶二”压缩元器件数目,进而节省电路板空间、增加能量密度。带来更高性能的新设计。此外,IR所确定的几类封装对简化现有设计的升级过程也十分有利。IR推出的这一组新品具有TO-
220、D2Pak和TO-
262三种封装,均符合Q101和MSL1标准。用户还可以选用无铅封装。
